STM32WLE5/E4xx遠(yuǎn)程無(wú)線(xiàn)和超低功耗器件內(nèi)嵌有功能強(qiáng)大且符合LPWAN標(biāo)準(zhǔn)的超低功耗無(wú)線(xiàn)電解決方案，并支持以下調(diào)制：LoRa?、(G)FSK、(G)MSK和BPSK。

LoRa?調(diào)制僅在STM32WLx5xx中提供。

這些器件基于高性能Arm?Cortex?-M4 32位RISC內(nèi)核（工作頻率可達(dá)48 MHz），旨在實(shí)現(xiàn)超低功耗。該內(nèi)核具有一組DSP指令和一個(gè)旨在提高應(yīng)用安全性的獨(dú)立存儲(chǔ)器保護(hù)單元 (MPU)。

這些器件內(nèi)嵌有高速存儲(chǔ)器（最高256 KB的Flash存儲(chǔ)器、最高64 KB的SRAM），以及種類(lèi)繁多的增強(qiáng)型I/O和外設(shè)。

這些器件還為嵌入式Flash存儲(chǔ)器和SRAM嵌入了多種保護(hù)機(jī)制，分別是：讀保護(hù)、寫(xiě)保護(hù)、專(zhuān)有代碼讀保護(hù)。

這些器件提供了一個(gè)12位ADC、一個(gè)12位DAC用于低功耗采樣及保持、兩個(gè)超低功耗比較器以及一個(gè)相關(guān)的高精度參考電壓發(fā)生器。

這些器件內(nèi)嵌有一個(gè)帶有32位亞秒喚醒計(jì)數(shù)器的低功耗RTC、一個(gè)16位單通道定時(shí)器、兩個(gè)16位四通道定時(shí)器（支持電機(jī)控制）、一個(gè)32位四通道定時(shí)器以及三個(gè)16位超低功耗定時(shí)器。

此外，這些器件還內(nèi)嵌有兩個(gè)DMA控制器（每個(gè)控制器7個(gè)通道），可使用DMAMUX1進(jìn)行靈活的DMA通道映射，并支持在存儲(chǔ)器（Flash存儲(chǔ)器、SRAM1和SRAM2）與外設(shè)之間構(gòu)建任何傳輸組合。

這些器件還具有以下標(biāo)準(zhǔn)與高級(jí)通信接口：兩個(gè)USART接口（支持LIN、智能卡、IrDA、調(diào)制解調(diào)器控制和ISO7816標(biāo)準(zhǔn)）、一個(gè)低功耗UART接口 (LPUART)、三個(gè)I2C接口 (SMBus/PMBus)、兩個(gè)SPI接口（最高工作頻率為16 MHz，其中有一個(gè)支持I2S），以及用于處理器固件進(jìn)程同步的信號(hào)量。

其工作溫度/電壓范圍是–40 °C至+105 °C（無(wú)線(xiàn)電為+85 °C），其供電電壓范圍是1.8 V至3.6 V。這些器件均提供一組全面的節(jié)能模式，支持用戶(hù)實(shí)現(xiàn)低功耗應(yīng)用設(shè)計(jì)。

這些器件集成了高效SMPS降壓轉(zhuǎn)換器以及ADC、DAC和比較器模擬輸入的獨(dú)立電源。

VBAT專(zhuān)用電源允許備份LSE 32.768 kHz振蕩器、RTC和備份寄存器。即使主VDD不存在，這些器件也可通過(guò)類(lèi)似CR2032的電池、超級(jí)電容器或小型可充電電池為這些功能供電。

特性

包含意法半導(dǎo)體先進(jìn)的專(zhuān)利技術(shù)

無(wú)線(xiàn)電

頻率范圍：150 MHz至960 MHz

調(diào)制：LoRa?、(G)FSK、(G)MSK和BPSK

接收靈敏度：2-FSK為-123 dBm（速度為1.2 Kbit/s），LoRa?為-148 dBm（頻率為10.4 kHz時(shí)，擴(kuò)頻因子為12）

發(fā)射器高可編程輸出功率，最高+22 dBm

發(fā)射器低可編程輸出功率，最高+15 dBm

用于優(yōu)化匹配、濾波和巴倫的集成無(wú)源器件 (IPD) 配套芯片，在一個(gè)非常緊湊的解決方案中涵蓋了每個(gè)封裝和主要用例（22 dBm @ 915 MHz、14 dBm @ 868 MHz和17 dBm @ 490 MHz）

符合以下射頻規(guī)定：ETSI EN 300 220、EN 300 113、EN 301 166、FCC CFR 47第15、24、90部分，以及日本的ARIB STD-T30、T-67、T-108等等

與LoRaWAN?、Sigfox?、W-MBus等（完全開(kāi)放式無(wú)線(xiàn)片上系統(tǒng)）標(biāo)準(zhǔn)化或?qū)Ｓ袇f(xié)議相兼容

超低功耗平臺(tái)

1.8 V至3.6 V電源

-40°C至+105°C溫度范圍

關(guān)斷模式：31 nA (VDD = 3 V)

待機(jī) (+ RTC) 模式：360 nA (VDD = 3 V)

停止2 (+ RTC) 模式：1.07 μA (VDD = 3 V)

主動(dòng)模式MCU：< 72 μA/MHz (CoreMark?)

主動(dòng)模式RX：4.82 mA

主動(dòng)模式TX：15 mA @ 10 dBm和87 mA @ 20 dBm (LoRa?125 kHz)

核心

在Flash存儲(chǔ)器中實(shí)現(xiàn)零等待狀態(tài)運(yùn)行性能的自適應(yīng)實(shí)時(shí)加速器（ART加速器）、主頻高達(dá)48 MHz，具有MPU和DSP指令集

1.25 DMIPS/MHz (Dhrystone 2.1)

32位Arm?Cortex?-M4 CPU

安全和身份識(shí)別

AES 256位硬件加密

真隨機(jī)數(shù)發(fā)生器 (RNG)

針對(duì)讀/寫(xiě)操作提供扇區(qū)保護(hù)（PCROP、RDP和WRP）

CRC計(jì)算單元

唯一設(shè)備標(biāo)識(shí)符（符合IEEE 802-2001標(biāo)準(zhǔn)的64位UID）

96位唯一晶片標(biāo)識(shí)符

硬件公鑰加速器 (PKA)

供電和復(fù)位管理

高效率的嵌入式SMPS降壓轉(zhuǎn)換器

SMPS至LDO智能開(kāi)關(guān)

超級(jí)安全的低功耗BOR（欠壓復(fù)位），有5個(gè)可選閾值

超低功耗POR/PDR

可編程電壓檢測(cè)器 (PVD)

帶RTC和20x32位備份寄存器的VBAT模式

時(shí)鐘源

32 MHz晶振

TCXO支持：可編程供電電壓

帶校準(zhǔn)功能的32 kHz RTC振蕩器

經(jīng)工廠調(diào)校的16 MHz高速內(nèi)置RC (± 1 %)

內(nèi)部低功耗32 kHz RC

多速低功耗100 kHz至48 MHz內(nèi)置RC

用于CPU、ADC和音頻時(shí)鐘的PLL

存儲(chǔ)器

最大256 KB的Flash存儲(chǔ)器

最大64KB的RAM

20x32位備份寄存器

支持USART和SPI接口的自舉程序

支持OTA（無(wú)線(xiàn)）固件更新

針對(duì)讀/寫(xiě)操作提供扇區(qū)保護(hù)

豐富的模擬外設(shè)（最低1.62 V）

12位ADC 2.5 Msps，硬件過(guò)采樣時(shí)最高16位，轉(zhuǎn)換范圍可達(dá)3.6 V

12位DAC、低功耗采樣及保持電路

2個(gè)超低功耗比較器

系統(tǒng)外設(shè)

用于處理器固件進(jìn)程同步的信號(hào)量

控制器

2個(gè)DMA控制器（每個(gè)控制器7個(gè)通道），支持ADC、DAC、SPI、I2C、LPUART、USART、AES和定時(shí)器

2個(gè)USART（ISO 7816，IrDA，SPI）

1個(gè)LPUART（低功耗）

2個(gè)SPI 16 Mbit/s（其中有1個(gè)支持I2S）

3個(gè)I2C (SMBus/PMBus?)

2個(gè)16位1通道定時(shí)器

1個(gè)16位4通道定時(shí)器（支持電機(jī)控制）

1個(gè)32位4通道定時(shí)器

3個(gè)16位超低功耗定時(shí)器

1個(gè)帶有32位亞秒喚醒計(jì)數(shù)器的RTC

1x獨(dú)立系統(tǒng)定時(shí)器

1個(gè)獨(dú)立看門(mén)狗

1個(gè)窗口看門(mén)狗

最多43個(gè)I/O、最大耐壓為5V

開(kāi)發(fā)支持

串行線(xiàn)調(diào)試 (SWD)、JTAG

所有封裝均符合ECOPACK2標(biāo)準(zhǔn)

電路原理圖

STM32WLEx產(chǎn)品信息

引腳配置