4008-622-911
采用BSI技術的3D成像飛行時間傳感器
這款用于3D成像的飛行時間（Time-of-Flight）傳感器采用了背照式（BSI）技術，具有高精度、小像素尺寸、高分辨率、低功耗、全集成等特點，打破歐美國際廠商的壟斷，可廣泛應用于人工智能、人臉識別、自動駕駛、AR/VR、3D建模、動作捕捉、機器視覺等領域，在手機、安防、汽車等主流市場擁有光明的商業落地前景。
讓每一種美都能立體可見
SIF2X10是一系列采用了背照式技術（Back-side illumination）的飛行時間（Time of Flight）圖像傳感器。SIF2X10系列產品片上集成了高像素陣列、用來調制紅外光源的信號發生器、低噪聲ADC、片上溫度傳感器、獨立的邏輯控制單元、片上高速時鐘和用于高速數據傳輸的MIPI接口，支持高達100MHz的調制頻率及高達240fps的輸出幀率。其中，SIF2310集成了HVGA級（480x360）分辨率的像素陣列，SIF2610集成了VGA級（640×480）分辨率的像素陣列。
SIF2X10系列架構圖
主要特性
● SIF2310分辨率達到HVGA級(480x360)，SIF2610分辨率達到VGA級（640×480）
● 背照式技術(Back-side illumination)
● 優秀的環境光抑制
● 兼容850nm/940nm紅外光源（LED/VCSEL）
● 調制頻率可達100MHz
● 240fps幀率
● 可編程感興趣區域 (ROI) 的尋址引擎
● 全局精度<1%@5m
● 全局快門曝光
● 光學級封裝
應用
● 智能手機
● AR/VR
● 安防監控
● 機器人&無人機
● 汽車電子
芯片針對NIR（近紅外）波長進行了特殊優化，在850nm/940nm波段具有良好的感光度。配合紅外光源，SIF2X10系列產品可以廣泛應用于人臉識別、AR/VR、動作捕捉、3D建模、機器視覺、無人駕駛等領域。
芯片提供裸片或BGA封裝。
相關推薦
-
-
中科院上海微系統所在硅基膠體量子點片上發光取得重要進展
PbS膠體量子點（CQDs）由于具有帶隙寬、可調諧及溶液可加工性強等優點，廣泛應用于氣體傳感、太陽能電池、紅外成像、光電探測及片上光源的集成光子器件中。然而，PbS CQDs普遍存在發射效率低和輻射方向性差的問題，因而科學家嘗試利用半導體等離子體納米晶或全介質納米諧振腔來增強PbS CQDs的近紅外熒光發射，使其成為更高效、更快的量子發射器。然而，普遍存在光場限制能力弱、Q值低的問題。近日，中國科學院上海微系統與信息技術研究所研究員武愛民團隊與浙江大學副教授金毅團隊合作，將BIC引入到PbS CQDs發光應用，提出了支持對稱保護BIC的硅超表面通過激發相鄰的高Q泄露導波模式來增強室溫下PbS CQDs的自發輻射的方案，實現了硅基量子點近紅外片上發光。該超表面由亞波長尺寸的硅棒周期性排列而成（圖a），結構具有各向異性且與偏振相關。它的反射率是入射光角度和波長的函數。當TE偏振激發時，對稱保護型BIC會出現在布里淵區的Γ點處（圖b），對應的電場分布如圖c所示。研究基于洛倫茲擬合方法分別從仿真和實驗反射譜中提取出Q值曲線（圖d），兩者趨勢一致，且激發的高Q導波模式可以有效的增強量子點的發射。由圖1e的實驗結果可以看出，制備的超表面使包覆的PbS CQDs的熒光輻射顯著增強，且在波長1408 nm處的發射峰的Q值高達251。進一步，科研人員利用實驗簡單演示了該系統的傳感潛力。該工作將稀疏度為4/1000 μm2、直徑為60 nm的Au納米顆粒隨機分布在涂敷PbS CQDs的超表面頂部，通過與不含Au納米顆粒的樣品相比，PL峰從1408 nm紅移到1410 nm，且強度出現明顯的增強（圖f）。該研究為實現支持BIC的介電超表面可以有效地增強PbS CQDs的發射性能提供了設計指導與實驗驗證，并為PbS CQDs在硅基片上光源和集成傳感器等各種實際應用提供了新思路。該團隊提出的基于BIC超表面增強PbS CQDs近紅外發射的新方法，是一種普適、高效、功能廣泛的方法。該方法證明了BIC系統在熒光增強方面的有效性。它是提高PbS膠體量子點在光源和熒光傳感器等各種應用中的最好選擇之一。通過提高制造精度或者合并的BIC可進一步提高增強效果，并可以通過改變幾何尺寸來調節工作波長。這種無源超表面結構可以在商用CMOS平臺上以簡單的工藝制造，因而它可以結合到硅光子集成中，用于硅基片上光源以及熒光傳感器，在多通道通信、近場傳感和紅外成像等領域均有廣闊的應用前景。相關研究成果以Fluorescence Enhancement of PbS Colloidal Quantum Dots from Silicon Metasurfaces Sustaining Bound States in the Continuum為題，在線發表在《納米光子學》（Nanophotonics）上。研究工作得到國家重點研發計劃、中國科學院青年創新促進會、上海市學術帶頭人項目和國家自然科學基金的支持。（a）硅超表面的結構示意圖。（b）TE偏振激發時，反射率是入射角和入射波長的函數。在Γ處形成了一個對稱保護型BIC，對應波長為1391 nm。（c）對稱保護型BIC的Ey電場分布?；揖€表示結構邊界。（d）與BIC相鄰的泄露導波模式在同一能帶上的Q值隨入射角度的變化。虛線為實驗結果，實線為仿真結果，插圖為硅超表面的SEM圖像。（e）在同一塊SOI襯底表面旋涂PbS CQDs，超表面結構區域（黑色曲線）和無結構區域（紅色曲線）的實測PL譜。插圖為頂部涂敷PbS CQDs的超表面的SEM圖像。（f）在超表面結構上引入隨機Au納米顆粒前（紅色曲線）和后（黑色曲線）的實測PL譜。插圖為表面隨機分布Au納米顆粒的頂部涂敷PbS CQDs的超表面的SEM圖像。
-
-
TI德州儀器發起芯片價格戰，國內芯片公司跟不跟？
德州儀器今年5月全面下調了中國市場的芯片價格，試圖在行業復蘇前的至暗時刻，搶占更多市場份額。某模擬芯片廠高層表示，“TI這次降價沒有固定幅度和底線”。此次德州儀器降價造成的沖擊，對通用模擬芯片的影響更大，對于較為分散的各類專用模擬芯片市場影響則參差不齊。其中，通用模擬芯片包括電源管理和信號鏈兩大類，這兩類芯片是德州儀器此次降價策略的重災區。
哦! 它是空的。