Toshiba東芝日前推出了“SSM10N961L”。這是一款低導(dǎo)通電阻、30V N溝道共漏MOSFET，適用于帶USB的設(shè)備和電池組保護。產(chǎn)品發(fā)貨即日起開始。

到目前為止，Toshiba的N溝道共漏MOSFET系列產(chǎn)品一直聚焦12V產(chǎn)品，主要用于保護智能手機的鋰離子電池組。此次發(fā)布的30V產(chǎn)品可滿足更多電壓高于12V的應(yīng)用，例如USB充電設(shè)備電源線的負載開關(guān)以及筆記本電腦和平板電腦中鋰離子電池組的保護。

要實現(xiàn)具有低漏極-源極導(dǎo)通電阻(RDS(ON))的雙向開關(guān)，需要兩個具有低RDS(ON)的3.3×3.3mm或2×2mm MOSFET。Toshiba的新產(chǎn)品采用全新的小巧輕薄封裝TCSPAG-341501（3.37mm×1.47mm（典型值），t=0.11mm（典型值）），在單封裝共漏配置下具備9.9mΩ（典型值）的低源極-源極導(dǎo)通電阻(RSS(ON))。

USB Power Delivery (USB PD)支持15W (5V / 3A)到最大240W (48V / 5A)的電源，專為需要大功率電源的設(shè)備而開發(fā)。USB PD規(guī)定了交換供電端和接收端的角色互換功能，并要求具有USB充電功能的設(shè)備支持雙向供電，以便兩邊都能供電和受電。新產(chǎn)品是一種支持雙向供電且安裝面積較小的N溝道共漏MOSFET。

將該產(chǎn)品與Toshiba的TCK42xG系列驅(qū)動器IC相結(jié)合，可形成一個具有防回流功能的負載開關(guān)電路或一個可在“先合后斷”(MBB)和“先斷后合”(BBM)之間切換操作的功率多路復(fù)用電路。Toshiba今天發(fā)布了基于該產(chǎn)品組合的功率多路復(fù)用電路（使用共漏極MOSFET）的參考設(shè)計。使用該參考設(shè)計將有助于縮短產(chǎn)品設(shè)計和開發(fā)時間。

Toshiba將繼續(xù)擴大其產(chǎn)品陣容并改進特性，以提高設(shè)計靈活性。

應(yīng)用

智能手機

筆記本電腦

平板電腦等

特點

高額定源-源電壓：VSSS=30V

低導(dǎo)通電阻：RSS(ON)=9.9mΩ（典型值）(VGS=10V)

共漏極連接結(jié)構(gòu)可實現(xiàn)雙向?qū)?/p>

小巧輕薄的TCSPAG-341501封裝：3.37mm×1.47mm（典型值），t=0.11mm（典型值）

主要規(guī)格

（除非另有說明，否則Ta=25°C）

型號

SSM10N961L

極性

N溝道×2

內(nèi)部連接

共漏極

絕對
最大
額定值

源-源電壓VSSS(V)

30

柵-源電壓VGSS(V)

±20

源電流（直流）IS(A)[1]

9.0

源電流（直流）IS(A)[2]

14.0

電氣
特性

源-源擊穿電壓V(BR)SSS(V)

VGS＝0V

最小值

30

源極-源極導(dǎo)通電阻RSS(ON)(mΩ)

VGS＝10V

典型值

9.9

VGS＝4.5V

典型值

13.6

封裝

名稱

TCSPAG-341501

尺寸(mm)

典型值

3.37×1.47, t=0.11

備注：
[1] 器件安裝在一塊25mm×27.5mm，t=1.6mm的銅焊盤上：18μm，407mm2，F(xiàn)R4玻璃環(huán)氧板
[2] 器件安裝在一塊25mm×27.5mm，t=1.6mm的銅焊盤上：70μm，687.5mm2，F(xiàn)R4玻璃環(huán)氧板