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MAX232CSE線驅動器/接收器,專為EIA/TIA-232E以及V.28/V.24通信接口設計,尤其是無法提供±12V電源的應用。
MAX232CSE封裝為SOP16,可操作溫度范圍從0至+70°C。
優缺點
節省占位面積
集成電荷泵電路
去掉雙極±12V供電
實現+5V供電時單電壓操作
集成電容
節省功耗
5μW關斷模式
應用
接口轉換
多點RS-232網絡
便攜式診斷設備
引腳
典型操作電路
意法半導體的STL120N10F8 N溝道100V功率MOSFET現已全面投產。意法半導體的STL120N10F8 N溝道100V功率MOSFET擁有極低的柵極-漏極電荷(QGD)和導通電阻RDS(on),優值系數 (FoM) 比上一代同類產品提高40%。新推出的MOSFET利用ST的STPOWER STripFET F8先進技術,引入氧化物填充溝槽工藝,集極低的導通損耗和低柵極電荷于一身,實現高效的開關性能。因此,STL120N10F8的最大導通電阻 RDS(on)為 4.6mΩ(在 VGS = 10V 時),高效運行頻率達到600kHz。STripFET F8技術還確保輸出電容值可以減輕漏源電壓尖峰,最大程度地減少充放電能量浪費。此外,這款MOSFET的體漏二極管的軟度特性更高。這些改進之處可以減少電磁輻射,簡化最終系統的合規性測試,確保電磁兼容性 (EMC)符合適用的產品標準。STL120N10F8擁有卓越的能效和較低的電磁輻射,可以增強硬開關和軟開關拓撲的電源轉換性能。此外,這款產品還是首款完全符合工業級規格的 STPOWER 100V STripFET F8 MOSFET,非常適合電機控制、電信和計算機系統的電源及轉換器、LED 和低壓照明,以及消費類電器和電池供電設備。新款MOSFET還有其他優勢,其中包括柵極閾值電壓(VGS(th))差很小,這個優勢在強電流應用中很有用,可簡化多個功率開關管的并聯設計。新產品的魯棒性非常強,能夠承受 10μs的800A短路脈沖電流沖擊。STL120N10F8采用 PowerFLAT5x6 封裝,現已全面投產。
升壓芯片和降壓芯片是電子設備中常用的兩種類型的電源管理芯片。它們在電力轉換方面扮演著重要的角色,但在工作原理和應用場景上存在明顯的區別。 首先,升壓芯片(Boost芯片)主要用于將輸入電壓提升至較高的輸出電壓。它通過將輸入電壓經過一系列轉換步驟,增加其幅值,以實現輸出電壓的升高。升壓芯片在許多電子設備中發揮著關鍵作用,特別是在需要提供高電壓的應用中,例如液晶顯示器背光、激光器驅動和無線通信模塊。通過升壓芯片的工作,這些設備可以獲得所需的高電壓供電,以實現其正常運行。 相反,降壓芯片(Buck芯片)的主要功能是將輸入電壓降低到較低的輸出電壓。它通過將輸入電壓經過適當的轉換步驟,降低其幅值,以實現所需的輸出電壓水平。降壓芯片在許多電子設備中被廣泛使用,特別是在需要低電壓供電的應用中,例如移動設備、電池充電器和電源適配器。它們有效地將高電壓源轉換為適用于這些設備的低電壓輸出,確保設備安全運行和電能的有效利用。 在工作原理上,升壓芯片和降壓芯片都使用了開關電源轉換技術,但其具體電路結構和控制方式有所不同。升壓芯片通常包括一個電感元件和一個開關管,通過周期性地打開和關閉開關管,將輸入電壓轉化為高于輸入電壓的輸出電壓。降壓芯片則采用類似的原理,但電路結構稍有不同,通常包括一個電感元件和一個開關管,通過周期性地打開和關閉開關管,將輸入電壓轉化為低于輸入電壓的輸出電壓。 總之,升壓芯片和降壓芯片在電源管理中起著重要的作用。升壓芯片能夠將低電壓升高到所需的高電壓水平,而降壓芯片則能夠將高電壓降低到所需的低電壓水平。它們的工作原理和應用領域不同,但都為電子設備的穩定供電提供了有效的解決方案。
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