為了擴(kuò)大QSiC SiC模塊的選擇范圍，SemiQ推出了一系列采用SOT-1封裝的200,227V MOSFET，可與或不與1,200V SiC肖特基二極管一起使用。

最近推出的 SemiQ SiC 模塊建立在高性能陶瓷的堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)上，經(jīng)過精心設(shè)計(jì)，可在苛刻的環(huán)境下始終如一地運(yùn)行，實(shí)現(xiàn)了異常高的性能水平。改進(jìn)的功能可實(shí)現(xiàn)更簡(jiǎn)化的設(shè)計(jì)配置和更高的功率密度。高擊穿電壓 (> 1,400 V)，高溫工作 (TJ= 175°C)，以及在整個(gè)工作溫度范圍內(nèi)的低 Rds(On) 位移是 QSiC 模塊的所有特性。此外，它們還提供最長(zhǎng)的柵極氧化層壽命和穩(wěn)定性、抗雪崩 (UIS) 和更長(zhǎng)的短路耐受時(shí)間。

電動(dòng)汽車充電、車載充電器 (OBC)、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電動(dòng)壓縮機(jī)、燃料電池轉(zhuǎn)換器、醫(yī)療電源、儲(chǔ)能系統(tǒng)、太陽能和風(fēng)能系統(tǒng)、數(shù)據(jù)中心電源、UPS/PFC電路以及其他汽車和工業(yè)電源應(yīng)用是新型 QSiC 模塊與我們現(xiàn)有的 SOT-227 SiC SBD 模塊結(jié)合使用的目標(biāo)市場(chǎng)。

為確保每個(gè)新的QSiC模塊都具有穩(wěn)定的柵極閾值電壓和高質(zhì)量的柵極氧化物，所有模塊都經(jīng)過晶圓級(jí)的柵極老化測(cè)試。除了有助于穩(wěn)定外在故障率的老化測(cè)試外，還進(jìn)行了包括高溫反向偏置 (HTRB) 漏極應(yīng)力、高濕度、高壓和高溫 (H3TRB) 漏極應(yīng)力在內(nèi)的應(yīng)力測(cè)試，以保證工業(yè)使用所需的質(zhì)量水平。

SemiQ 的新型 1,200V SOT-227 模塊提供 20 mΩ、40 mΩ 和 80 mΩ SiC MOSFET 尺寸。