IT之家 5 月 26 日消息，傳統半導體芯片性能主要取決于多層晶體管的密集堆疊，如今隨著新興的人工智能，發展計算機芯片所需要的成分越發高昂。

麻省理工學院(MIT)華裔科學家朱家迪領軍的原子級晶體管研究于 4 月取得突破，該項目采用氣象沉淀逐層堆疊工藝生產，不再需要使用光刻機，即可生產出一納米甚至以下制程的芯片。這將使計算機的尺寸縮小到只有目前的千分之一大小，且功耗也只有目前的千分之一。

新晶體管只有大約三個原子的厚度，因此堆疊起來可以制造成本更低，性能更強大的芯片。麻省理工學院的研究人員也因此開發了一種新技術，可以直接在完全制造的硅芯片上有效且高效地“生長”金屬二硫化物 (TMD) 材料層，以實現芯片晶體管更密集的集成性。

由于芯片制造過程通常需要大約 600 攝氏度的溫度，而硅晶體管和電路在加熱到 400 攝氏度以上時可能會損壞，因此將晶體管材料直接“生長”到硅晶圓上是一項重大挑戰。

現在，麻省理工學院研究人員的跨學科團隊已經開發出一種不會損壞芯片的低溫“生長”工藝。該技術允許將二維半導體晶體管直接集成在標準硅電路之中。

新技術還能夠顯著減少生長這些材料所需的時間。以前的方法需要超過一天的時間來制造芯片用的單層二維材料，而新方法可以在不到一個小時的時間內在整個 8 英寸晶圓上“生長”出均勻的金屬二硫化物 (TMD) 材料層。