本應(yīng)用筆記旨在幫助客戶使用Microchip微芯的10/100/1000 Mbps以太網(wǎng)器件系列設(shè)計(jì)PCB。本文檔提供有關(guān)PCB布線建議， PCB 布線是保持信號(hào)完整性和減少EMI問(wèn)題的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。本文涵蓋以下主題：

? 通用PCB布線指南

? 以太網(wǎng)布線指南

? EMI注意事項(xiàng)

? ESD注意事項(xiàng)

? 常見(jiàn)布線問(wèn)題疑難解答

01.

低通用PCB布線指南

電源注意事項(xiàng)：

確保足夠的電源額定值。確認(rèn)所有電源和穩(wěn)壓器都能提供所需的電流大小。

電源輸出紋波應(yīng)限制在50 mV以下（為了獲得最佳性能，最好小于10 mV）。

所有電源和地平面上的噪聲水平應(yīng)限制在50 mV以下。

鐵氧體磁珠的額定電流應(yīng)為預(yù)期提供電流的4-6倍。另外，還應(yīng)考慮因溫度產(chǎn)生 的降額。

器件去耦：

PCB裝配上的每個(gè)高速半導(dǎo)體器件都需要去耦電容。每個(gè)電源引腳都需要一個(gè)去耦電容。

去耦電容值取決于應(yīng)用。典型的去耦電容值范圍為0.001 μF至0.1 μF。

總?cè)ヱ铍娙輵?yīng)大于提供給數(shù)字輸出緩沖器的負(fù)載電容，以避免將噪聲引入電源。

通常，選擇II類介電電容進(jìn)行去耦。首選方案是X7R介電陶瓷電容，因?yàn)樗哂谐錾姆€(wěn)定性、合理的封裝尺寸以及優(yōu)異的電容特性。設(shè)計(jì)人員的第二個(gè)選擇是X5R介電電容，因?yàn)樗哂谐錾姆€(wěn)定性。但是，X5R在封裝尺寸與電容特性方面可能會(huì)存在一定的限制。考慮去耦電容特性時(shí)，低電感至關(guān)重要。

每個(gè)去耦電容都應(yīng)盡可能靠近要去耦的電源引腳。

所有去耦電容引線應(yīng)盡可能短。最佳做法是將電容直接連接到地以及頂層的電源引腳。如果不得不使用過(guò)孔，則焊盤(pán)到過(guò)孔的連接長(zhǎng)度應(yīng)小于10 mil。走線連接應(yīng)盡可能寬，以降低電感。

強(qiáng)烈建議考慮通過(guò)兩個(gè)過(guò)孔連接所有旁路電容的地，以極大地減小該連接的電感。

PCB旁路：

? 旁路電容應(yīng)放置在靠近PCB上所有電源入口點(diǎn)的位置。這些電容從高速數(shù)字負(fù)載吸收高頻電流。

? 設(shè)計(jì)中的所有電源連接和所有穩(wěn)壓器均應(yīng)使用旁路電容。

? 旁路電容的值取決于應(yīng)用，由電源的頻率以及負(fù)載瞬態(tài)幅值和頻率決定。

? 所有旁路電容引線應(yīng)盡可能短。最佳做法是將電容直接連接到地以及頂層的電源引腳。如果不得不在表面貼裝焊盤(pán)外使用過(guò)孔，則焊盤(pán)到過(guò)孔的連接長(zhǎng)度應(yīng)小于10 mil。走線連接應(yīng)盡可能寬，以降低電感。

? 強(qiáng)烈建議考慮通過(guò)兩個(gè)過(guò)孔連接所有旁路電容的地，以極大地減小該連接的電感。

圖1 PCB旁路技術(shù)示例

PCB大電容：

?必須適當(dāng)利用大電容，以將開(kāi)關(guān)噪聲降至最低。大電容有助于保持恒定的直流電壓和電流大小。

?設(shè)計(jì)中的所有電源平面和穩(wěn)壓器均應(yīng)使用大電容。

?旁路電容的值取決于應(yīng)用，由電源的頻率以及負(fù)載瞬態(tài)幅值和頻率決定。

?所有大電容引線應(yīng)盡可能短。最佳解決方案是在表面貼裝焊盤(pán)內(nèi)使用平面連接過(guò)孔。在表面貼裝焊盤(pán)外使用過(guò)孔時(shí)，焊盤(pán)到過(guò)孔的連接長(zhǎng)度應(yīng)小于10mil。走線連接應(yīng)盡可能寬，以降低電感。

?遵循良好的設(shè)計(jì)原則，只要在電路中使用鐵氧體磁珠，就應(yīng)在鐵氧體磁珠的每一側(cè)放置大電容。

?如果在USB連接器上使用鐵氧體磁珠來(lái)對(duì)VCC進(jìn)行濾波，則建議不要在USB連接器側(cè)使用大電容。這是限制USB電路浪涌電流的一種嘗試。Microchip強(qiáng)烈建議在鐵氧體磁珠內(nèi)側(cè)使用4.7μF的大電容。

PCB層策略：

?所有以太網(wǎng)LAN設(shè)計(jì)至少使用4層PCB。

?在典型的PCB層疊結(jié)構(gòu)中，頂層（元件側(cè)）為信號(hào)，第2層為固定連續(xù)地平面，第3層為固定電源平面，第4層為另一個(gè)信號(hào)。第1層被視為主要的關(guān)鍵布線和元件層，因?yàn)槠湔路绞枪潭〝?shù)字地平面。另外，第1層不需要通過(guò)過(guò)孔來(lái)連接位于第1層的元件。

?所有PCB走線（尤其是高速和關(guān)鍵信號(hào)走線）應(yīng)在固定連續(xù)地平面層相鄰的第1層上布線。這些走線必須具有連續(xù)的參考平面，才能滿足其整個(gè)傳導(dǎo)長(zhǎng)度的要求。應(yīng)避免信號(hào)走線穿過(guò)平面分割處（圖2），因?yàn)檫@會(huì)導(dǎo)致不可預(yù)測(cè)的返回路徑電流，并且可能引起信號(hào)完整性問(wèn)題以及產(chǎn)生EMI問(wèn)題。如果不得不穿過(guò)參考平面中的分割處，請(qǐng)考慮添加拼接電容。

?需要將以太網(wǎng)機(jī)架地平面與數(shù)字地平面分離。

?避免在PCB設(shè)計(jì)和系統(tǒng)設(shè)計(jì)中形成接地回路。

?為了便于布線并最大程度減少信號(hào)串?dāng)_問(wèn)題，多層設(shè)計(jì)中的相鄰層應(yīng)以正交方式布線。

圖2 信號(hào)穿過(guò)平面分割處的示例

推薦的層疊布局

? 四層板

- 信號(hào) 1 （頂層）

- GND

- 電源平面/GND

- 信號(hào)2

? 六層板

- 信號(hào) 1 （頂層）

- 電源平面/GND

- 信號(hào)2（最適合時(shí)鐘和高速信號(hào)）

- 信號(hào)3（最適合時(shí)鐘和高速信號(hào)）

- GND

- 信號(hào)4

信號(hào)完整性問(wèn)題：

? 根據(jù)需要為所有高速開(kāi)關(guān)信號(hào)和時(shí)鐘線提供交流端接。在走線的負(fù)載端進(jìn)行上述端接。隨著PCB上走線長(zhǎng)度的增加，這一設(shè)計(jì)問(wèn)題變得更加關(guān)鍵。

? 提供阻抗匹配的串聯(lián)端接，以最大程度地減小關(guān)鍵信號(hào)（地址、數(shù)據(jù)和控制線）中的振鈴、過(guò)沖和下沖。這些串聯(lián)端接應(yīng)位于走線的驅(qū)動(dòng)器端，而不是走線的負(fù)載端。隨著PCB上走線長(zhǎng)度的增加，這一設(shè)計(jì)問(wèn)題變得更加關(guān)鍵。

? 盡量減少在整個(gè)設(shè)計(jì)中使用過(guò)孔。過(guò)孔會(huì)增加信號(hào)走線的電感。

? 請(qǐng)務(wù)必查看整個(gè)PCB設(shè)計(jì)，了解是否有走線在任何參考平面切口上方穿過(guò)。這很有可能會(huì)引起EMC問(wèn)題。

? 通常，應(yīng)查看所有信號(hào)串?dāng)_設(shè)計(jì)規(guī)則以避免串?dāng)_問(wèn)題。確保走線間有足夠的間隔，以避免串?dāng)_問(wèn)題。

? 也可使用保護(hù)走線來(lái)最大程度地減少串?dāng)_問(wèn)題。

PCB走線注意事項(xiàng)：

? 避免在高速數(shù)據(jù)走線中使用90度角。這類角度會(huì)影響走線寬度和快速信號(hào)的阻抗控制。

? 要使 PCB 走線能夠提供所需電流量，應(yīng)為其設(shè)計(jì)合理的寬度。在頂層或底層的局部區(qū)域中使用迷你平面，這樣可確保提供足夠的電流。

? 連接任何電源平面或地平面的所有元件引線應(yīng)盡可能短。最佳解決方案是在表面貼裝焊盤(pán)內(nèi)使用平面連接過(guò)孔。在表面貼裝焊盤(pán)外使用過(guò)孔時(shí)，焊盤(pán)到過(guò)孔的連接長(zhǎng)度應(yīng)小于10 mil。走線連接應(yīng)盡可能寬，以降低電感。這包括為電源層供電的任何鐵氧體磁珠以及為電源層供電的熔絲等 。

晶振電路：

? 將所有晶振電路元件置于頂層。這將使所有這些元件及其走線以同一數(shù)字地平面為參考。

? 盡可能將所有晶振元件和走線與其他信號(hào)隔離。晶振對(duì)雜散電容和其他信號(hào)的噪聲敏感。晶振還可能干擾其他信號(hào)并引起EMI噪聲。

? 負(fù)載電容、晶振和并聯(lián)電阻應(yīng)靠近彼此放置。負(fù)載電容的接地連接應(yīng)較短，并遠(yuǎn)離USB和VBUS電源線的返回電流。負(fù)載電容的返回路徑應(yīng)連接到數(shù)字邏輯電源的地平面。

? 從以太網(wǎng)器件到晶振、電阻和電容的PCB走線應(yīng)在長(zhǎng)度上匹配，彼此應(yīng)盡可能靠近，同時(shí)保持最短的路徑。長(zhǎng)度匹配的優(yōu)先級(jí)應(yīng)高于最短的路徑長(zhǎng)度。

? 驗(yàn)證晶振電路在應(yīng)用的整個(gè)工作范圍內(nèi)工作時(shí)是否符合規(guī)范（+/-50 PPM）。這包括溫度、時(shí)間和應(yīng)用容差。

接地標(biāo)志（外露焊盤(pán)）中的過(guò)孔：

? 在GND標(biāo)志上打滿過(guò)孔，以確保到地平面的熱連接和電氣連接良好。地平面應(yīng)為1 oz或更高值，以確保器件具有固定的GND參考。這將有助于降低GND噪聲并為器件提供理想的散熱效果。圖3給出了標(biāo)志焊盤(pán)中的接地過(guò)孔區(qū)示例。

圖3 標(biāo)志焊盤(pán)中的接地過(guò)孔區(qū)示例

02.

標(biāo)志焊盤(pán)中的接地過(guò)孔區(qū)示例

以太網(wǎng)差分對(duì)：

? 每個(gè)TRxP/TRxN信號(hào)組都應(yīng)作為差分對(duì)布線。這包括從RJ45 連接器到LAN器件的整段走線。

? 單個(gè)差分對(duì)應(yīng)盡可能靠近布線。通常，在開(kāi)始計(jì)算阻抗時(shí)，選擇最小的走線間距（4-5 mil）。然后調(diào)整走線寬度以 獲得必要的阻抗。

? 差分對(duì)應(yīng)構(gòu)造為 100?受控阻抗對(duì)。

? 差分對(duì)應(yīng)遠(yuǎn)離所有其他走線布線。嘗試使所有其他高速走線與以太網(wǎng)前端保持至少0.300英寸的距離。

? 確保器件與RJ45 之間的對(duì)內(nèi)和對(duì)間偏移分別小于50 mil和600 mil。

? 差分對(duì)的長(zhǎng)度應(yīng)盡可能短。

? 盡可能不要過(guò)孔。如果使用過(guò)孔，請(qǐng)保持最小值并始終匹配過(guò)孔，以便平衡差分對(duì)。

? 最大程度減少層變化。盡可能使差分對(duì)以相同的電源/地平面為參考。

? 通常，將千兆位以太網(wǎng)的四個(gè)差分對(duì)連接到RJ45連接器時(shí)，至少有一對(duì)需要通過(guò)過(guò)孔連接到相對(duì)的外部層。在這種 情況下，必須確保電路板另一側(cè)（通常是第4層）上的布線經(jīng)過(guò)對(duì)地阻抗較低的連續(xù)參考平面。切勿越過(guò)平面邊界 布線。

? 為獲得最佳抗擾度，布線時(shí)盡可能使每個(gè)差分對(duì)互相遠(yuǎn)離。

? 端接應(yīng)始終使用與差分布線相同的參考平面。

? 應(yīng)先對(duì)差分對(duì)進(jìn)行布線。確定布線后再添加端接。只需將端接“放在”差分布線上即可。

? 太網(wǎng)前端的所有電阻端接應(yīng)具有 1.0%容差值。

? 以太網(wǎng)前端的所有電容端接都應(yīng)具有嚴(yán)格的容差和高質(zhì)量的電介質(zhì)。

? 為了實(shí)現(xiàn)最佳分離效果，可以通過(guò)在差分對(duì)之間插入地平面孤島來(lái)進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。應(yīng)使該地平面與任何走線的間距保持 為電解質(zhì)距離（PCB內(nèi)銅層的間距）的3至5倍。

? 如果存在端口串?dāng)_問(wèn)題，則可以使用上文所述的相同分離技術(shù)來(lái)分離不同的以太網(wǎng)端口。可以在以太網(wǎng)通道之間插 入地平面。應(yīng)使該地平面與任何走線的間距保持為電解質(zhì)距離的3至5倍。

圖4 芯片到磁件差分對(duì)布線示例

圖5 磁件到RJ45差分對(duì)布線示例

RJ45連接器：

磁件能夠隔離本地電路和以太網(wǎng)信號(hào)連接的其他設(shè)備。IEEE 隔離測(cè)試在隔離側(cè)施加壓力，以測(cè)試隔離的介電強(qiáng)度。隔 離繞組的中心抽頭有一個(gè)“Bob Smith”端接， 通過(guò)75?電阻和 1000 pF電容連接到機(jī)架地。端接電容應(yīng)具有3 kV的電 壓容差。

要通過(guò)EMI兼容性測(cè)試，可參考以下實(shí)用建議：

? 建議將RJ45 連接器的金屬屏蔽層連接到機(jī)架地以減少EMI發(fā)射。

? 為了進(jìn)一步減少EMI 問(wèn)題，可以在適當(dāng)平面之間放置帶狀線來(lái)代替外層的微帶線。請(qǐng)注意，將帶狀線直接放在彼此 的頂部可能會(huì)導(dǎo)致通道之間出現(xiàn)電容耦合。不過(guò)，對(duì)于差分對(duì)，這種耦合可能是有益的。

? 最好不要使電路地平面與形成耦合的機(jī)架地重疊，而應(yīng)使機(jī)架地成為一個(gè)隔離孤島，并在機(jī)架地和電路地之間留出 空隙。在機(jī)架地和電路地空隙上放置兩到三個(gè)1206焊盤(pán)。這樣就能通過(guò)實(shí)驗(yàn)選擇合適的感性、容性或阻性元件，以 通過(guò)EMI發(fā)射測(cè)試。1206焊盤(pán)的位置應(yīng)盡可能靠近電路板上的電源入口，以使兩個(gè)地之間的電流遠(yuǎn)離任何敏感電路。

? 為了最大程度提高ESD 性能，設(shè)計(jì)人員應(yīng)考慮選擇不帶LED 的RJ45 模塊。這將簡(jiǎn)化布線并允許以太網(wǎng)前端中具有 更大的間隔，以改善ESD/敏感性性能。

? 此外，還可通過(guò)使用表面貼裝觸點(diǎn) RJ45 連接器來(lái)提高 ESD 性能。這可以簡(jiǎn)化布線并允許以太網(wǎng)前端中具有更大的 間隔，以改善ESD敏感性性能。

? 分立和嵌入式RJ45 和磁件模塊的元件放置：

以太網(wǎng)器件與磁件之間的距離應(yīng)小于 1英寸。如果無(wú)法實(shí)現(xiàn)，則最大值不得超過(guò)3英寸。

? 磁件與RJ45 之間的距離應(yīng)小于 1英寸。

從以太網(wǎng)器件到RJ-45 連接器測(cè)得的差分對(duì)的總長(zhǎng)度應(yīng)小于4英寸。

磁件：

? 以太網(wǎng)的磁件可以是集成的，也可以是分立的。建議使用分立模塊以更好地控制EMI。

? 為了最大程度地提高ESD性能，設(shè)計(jì)人員應(yīng)考慮選擇分立變壓器，而不是集成磁件/RJ45模塊。這可以簡(jiǎn)化布線并 允許以太網(wǎng)前端中具有更大的間隔，以改善ESD/敏感性性能。

? 使用分立磁件時(shí)， 務(wù)必使用端接：四個(gè) 75? 端接用于線纜側(cè)中心抽頭， 未使用的引腳連接到 EFT（電快速瞬變） 電容。

? 使用連接到地平面的EFT電容以及75?端接。建議值為 1500 pF/2 KV或 1000 pF/3 KV。電容與走線和元件的間距至少應(yīng)保持50 mil。

? 實(shí)現(xiàn)地分割以進(jìn)行高壓安裝（不需要集成磁件）。通常，在 PCB 上磁件到 RJ45 連接器的中間區(qū)域清除所有平面。TRxP/TRxN對(duì)應(yīng)是這一清除區(qū)域中僅有的走線，從而形成LAN應(yīng)用所需的高壓勢(shì)壘的一部分。

? 阻抗不連續(xù)會(huì)導(dǎo)致意外的信號(hào)反射。最大程度減少過(guò)孔（信號(hào)通孔）和其他不規(guī)則傳輸線的數(shù)量。如果必須使用過(guò) 孔，合理的做法是每段差分走線經(jīng)過(guò)兩個(gè)過(guò)孔。

ETHRBIAS/ISET：

ETHRBIAS/ISET電阻設(shè)置內(nèi)部參考電流源。因此，ETHRBIAS/ISET引腳是一個(gè)高阻抗節(jié)點(diǎn)，在ETHRBIAS/ISET走線上 產(chǎn)生的任何噪聲都會(huì)直接影響內(nèi)部參考電流，從而對(duì)眼圖質(zhì)量造成負(fù)面影響。ETHRBIAS/ISET 電阻應(yīng)放置在靠近 ETHRBIAS/ISET引腳的位置，并且接地回路應(yīng)盡可能短且直接連接地平面。電阻走線應(yīng)非常短，并與附近的走線隔離。

03.

EMI注意事項(xiàng)

PCB EMI設(shè)計(jì)指南：

? 在原理圖和PCB設(shè)計(jì)周期中都必須考慮如何實(shí)現(xiàn)EMC設(shè)計(jì)。

? 最好從產(chǎn)生EMC的根源解決EMC 問(wèn)題。

標(biāo)識(shí)關(guān)鍵電路：

? 發(fā)射—— 時(shí)鐘、總線和其他重復(fù)電路。

?如果使用晶振，則確保熱引線盡可能短且匹配。

?向時(shí)鐘振蕩器添加較小的阻尼電阻或鐵氧體。

?控制時(shí)鐘布線

?當(dāng)心有噪聲的振蕩器模塊。

?如有可能，應(yīng)避免使用振蕩器。振蕩器會(huì)增加EMI、功耗和抖動(dòng)。

?如有可能，應(yīng)使用晶振。

? 抗擾度—— 復(fù)位、中斷和關(guān)鍵控制線。

?向電路輸入端添加高頻濾波器。

?控制走線布線。

?不要使高速信號(hào)走線穿過(guò)任何平面分割處。

謹(jǐn)慎選擇需要考慮EMI的器件：

? 越慢越好—— 上升時(shí)間和時(shí)鐘。

? 對(duì)于信號(hào)和電源，使用高速CMOS時(shí)需要小心。

電路板設(shè)計(jì)：

? 多層板在發(fā)射和抗擾度方面的性能要出色得多。

? 不要在電源和地平面中嵌入走線。

密切注意電源去耦：

? 用高頻電容為每個(gè)器件去耦。

? 使用高頻電容旁路電路板的每個(gè)電源輸入。

? 電容引線應(yīng)盡可能短。

? 為了在超高速設(shè)計(jì)中改善噪聲和EMI，可以組合使用 0.1 μF、0.01 μF和容值更低的電容。

I/O電路注意事項(xiàng)：

? 信號(hào)、電源和地是通過(guò)I/O的三個(gè)EMI路徑。

? 向所有I/O線路添加高頻濾波器，即使是慢速線路也是如此。

? 正確實(shí)現(xiàn)I/O平面的隔離。

04.

ESD注意事項(xiàng)

? RJ45 連接器必須具有金屬屏蔽層，以確保最高的ESD性能。

? RJ45 連接器的金屬屏蔽層必須直接連接到系統(tǒng)機(jī)架地平面的兩個(gè)點(diǎn)。

? 必須在磁件到RJ45 連接器的中間區(qū)域清除所有電源平面和非以太網(wǎng)走線。間隔至少應(yīng)保持0.250 英寸。

? N/S和E/W磁件的固定方式不同；因此，磁件的選擇和位置對(duì)于ESD 性能至關(guān)重要。

? 正確布局高壓勢(shì)壘。

? 選擇帶有機(jī)架接地片的特定RJ45 連接器，并將它安裝在遠(yuǎn)離8引腳連接的位置，這已被證實(shí)是ESD的最佳配置。

? RJ45 連接器相對(duì)于其他連接器和整個(gè)PCB的位置對(duì)于整體ESD性能非常重要。

? 確保與高壓勢(shì)壘區(qū)域相關(guān)和位于其中的所有電路僅以機(jī)架地為參考。高壓勢(shì)壘區(qū)域中的LED、電容和反并聯(lián)二極管 如果以數(shù)字地為參考，會(huì)對(duì)高壓勢(shì)壘帶來(lái)不利影響（見(jiàn)圖6）。

? 電源電壓線應(yīng)與其返回線緊密纏繞在一起。

? PCB的所有電源入口都必須正確旁路，盡可能靠近PCB上的電源連接器。

? 接地連接應(yīng)遠(yuǎn)離敏感電路。這種策略將迫使ESD流遠(yuǎn)離敏感電路，并將其引向地。

? 整個(gè)設(shè)計(jì)中的所有信號(hào)走線均應(yīng)保持最短。考慮向長(zhǎng)度超過(guò) 12英寸的信號(hào)線添加數(shù)字地“保護(hù)走線”。

? 如果允許 ESD 進(jìn)入數(shù)字地平面，則可能導(dǎo)致數(shù)字接地層發(fā)生“接地反彈”。這可能導(dǎo)致意外的系統(tǒng)行為和/ 或系統(tǒng) 故障。應(yīng)盡一切努力確保不允許任何ESD源進(jìn)入PCB上的任何數(shù)字地或電源平面。