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SK海力士研發(fā)可重復(fù)使用CMP拋光墊技術(shù)

來源:SK海力士| 發(fā)布日期:2023-12-27 14:23

據(jù)韓媒 ETNews 27 日披露,SK 海力士成功研發(fā)可重復(fù)使用的 CMP 拋光墊技術(shù),此舉既降本又有利于提升環(huán)境、社會(huì)、治理(ESG)效果。

據(jù)悉,該公司計(jì)劃率先在較低風(fēng)險(xiǎn)工藝中運(yùn)用可再生拋光墊,并逐步推廣至更多領(lǐng)域。

需要指出的是,CMP 技術(shù)通過化學(xué)與機(jī)械作用使得待拋光材料表面達(dá)到所需平滑程度。其中,拋光液中化學(xué)物質(zhì)與材料表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng),生成易于拋光的軟化層。拋光墊和研磨顆粒則負(fù)責(zé)物理機(jī)械拋光,清除這一軟化層。

在 CMP 制程中,拋光墊發(fā)揮著重要功能。譬如,它使拋光液能在加工區(qū)域均勻分布并提供補(bǔ)充拋光液實(shí)現(xiàn)循環(huán),同時(shí)迅速清除工件拋光面上的殘余物以及施加用于材料去除的機(jī)械載荷,以及保持拋光所需的機(jī)械和化學(xué)環(huán)境。此外,拋光墊的表面組織特征如微孔、孔隙率及溝槽形狀等,也可通過影響拋光液流動(dòng)和分布進(jìn)而影響拋光效率和平坦性。

為了實(shí)現(xiàn)拋光墊的重復(fù)利用,SK 海力士采取了 CMP 拋光墊表盤紋理重建策略。目前,韓國約 70%的 CMP 拋光墊來自海外,對(duì)外依存度高。此次技術(shù)突破有望助力韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)更高程度的自給自足。