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如何合理使用TVS二極管？
TVS二極管是一種常用的保護電路元件，可用于抵御瞬態(tài)過電壓，保護電路中的其他器件不受損壞。但是，在實際應(yīng)用中，如何合理地并聯(lián)或串聯(lián)使用TVS二極管卻是一個需要注意的問題。下面，我們來一起了解一下。
如何合理使用TVS二極管？
一、并聯(lián)使用
在保護電路中，常常會使用多個TVS二極管進行并聯(lián)，以提高保護效果。在進行并聯(lián)時，需要注意以下幾點：
1. 選擇合適的TVS二極管
并聯(lián)使用的TVS二極管需要具有相同的額定反向電壓和瞬態(tài)功率，否則可能會導(dǎo)致并聯(lián)不均衡，影響保護效果。因此，在選擇TVS二極管時，應(yīng)該根據(jù)實際需要選擇相同參數(shù)的器件。
2. 連接方式
并聯(lián)使用的TVS二極管需要采用平衡連接方式，以確保各個器件在保護過程中能夠均衡分擔(dān)瞬態(tài)過電壓。常用的連接方式有平行連接、星形連接和三角形連接等。
3. 均衡性測試
在并聯(lián)使用多個TVS二極管時，需要對各個器件進行均衡性測試，以確保各個器件在保護過程中能夠均衡分擔(dān)瞬態(tài)過電壓。測試方法包括電壓分配測試和電流分配測試等。
二、串聯(lián)使用
在一些特殊情況下，需要使用多個TVS二極管進行串聯(lián)，以提高保護電路的穩(wěn)定性和可靠性。在進行串聯(lián)時，需要注意以下幾點：
1. 選擇合適的TVS二極管
串聯(lián)使用的TVS二極管需要具有相同的額定反向電壓和瞬態(tài)功率，否則可能會導(dǎo)致串聯(lián)不均衡，影響保護效果。因此，在選擇TVS二極管時，應(yīng)該根據(jù)實際需要選擇相同參數(shù)的器件。
2. 連接方式
串聯(lián)使用的TVS二極管需要采用串聯(lián)連接方式，以確保各個器件在保護過程中能夠依次分擔(dān)瞬態(tài)過電壓。常用的連接方式包括串聯(lián)連接和并聯(lián)式串聯(lián)等。
3. 均衡性測試
在串聯(lián)使用多個TVS二極管時，需要對各個器件進行均衡性測試，以確保各個器件在保護過程中能夠依次分擔(dān)瞬態(tài)過電壓。測試方法包括電壓分配測試和電流分配測試等。
在實際應(yīng)用中，合理地并聯(lián)或串聯(lián)使用TVS二極管，可以有效地提高保護電路的穩(wěn)定性和可靠性。因此，在選擇器件和連接方式時，需要根據(jù)實際需要進行合理的選擇和測試，以確保保護效果的最大化。
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半導(dǎo)體存儲行業(yè)專題報告：存儲行業(yè)基礎(chǔ)薄弱，國產(chǎn)替代空間巨大
全球半導(dǎo)體存儲行業(yè)的現(xiàn)狀半導(dǎo)體按照產(chǎn)品可分為分離器件、光電子、傳感器和集成電路等四大類。占半導(dǎo)體價值 量比例最高的為集成電路，集成電路主要包括模擬芯片、微處理器芯片、邏輯芯片和存儲器芯片等四種。根據(jù) WSTS 的數(shù)據(jù)，2021 年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，分離器件占比 5%，光 電子占比8%，傳感器占比3%，集成電路占比達83%。再具體細分，存儲器芯片占比28%、 邏輯芯片占比 28%、微處理器芯片占比 14%、模擬芯片占比 13%。因此，可以看出在整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中存儲器芯片和邏輯芯片貢獻的價值量最大。預(yù)計 2023 年全球半導(dǎo)體規(guī)模達 5566 億美元，存儲芯片占比為 20%。存儲芯片又稱半導(dǎo) 體存儲器，是以半導(dǎo)體電路作為存儲媒介的存儲器，用于保存二進制數(shù)據(jù)的記憶設(shè)備，是 現(xiàn)代數(shù)字系統(tǒng)的重要組成部分。從歷史數(shù)據(jù)來看，存儲芯片行業(yè)規(guī)模占全球半導(dǎo)體行業(yè)規(guī) 模的 1/4-1/3.WSTS 數(shù)據(jù)顯示，2021 年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模為 5558.9 億美元，其中存 儲芯片市場規(guī)模為 1538.4 億美元，占半導(dǎo)體行業(yè)銷售額的 28%，預(yù)計 22、23 年占比分 別為 23%和 20%。1.2 存儲引領(lǐng)兩次半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)遷移從 20 世紀(jì) 70 年代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在美國形成規(guī)模以來，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已完成兩次大的產(chǎn) 業(yè)轉(zhuǎn)移：第一次是 70-80 年代，日本借助在工業(yè)級 PC DRAM 上的高質(zhì)量、技術(shù)領(lǐng)先和 批量化生產(chǎn)，實現(xiàn)對美國的趕超，1980-1986 期間，美國半導(dǎo)體市占率從 61%降至 43%，而日本由 26%提升至 44%，DRAM 領(lǐng)域市占率高達 80%，實現(xiàn)了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)從美國向日 本轉(zhuǎn)移，并成就了東芝、松下、日立等代表性廠商;第二次是 80-90 年代，由于美國的壓 制和經(jīng)濟泡沫破滅，日本半導(dǎo)體嚴(yán)重受挫，疊加韓國和中國臺灣受到美國的技術(shù)支持，韓 國通過引進消化吸收再創(chuàng)新，憑借家用 PC 的興起、DRAM 的高速研發(fā)和大規(guī)模生產(chǎn)優(yōu)勢， 借機超越日本成為了 DRAM 領(lǐng)域的后期新秀，而臺灣則專注晶圓代工和封測，成為垂直 領(lǐng)域的霸主，至 90 年代中期全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)完成從日本向韓國和中國臺灣的轉(zhuǎn)移。“ 舉國體制+產(chǎn)學(xué)研技術(shù)攻關(guān)+低價優(yōu)質(zhì)策略”助力日本擊敗美國成為全球半導(dǎo)體領(lǐng)域霸 主。1971 年 NEC 公司推出日本首個 1k DRAM 芯片，但彼時美國已進入 VLSI 時代，日 本仍停留在 LSI 時代，技術(shù)實力和產(chǎn)品性能與美國有較大差距。同時工業(yè)大型機的興起， 市場對工業(yè) PC DRAM 需求不斷增加，為攻破技術(shù)壁壘，1976 年由日本通產(chǎn)省牽頭，以 日立(Hitachi)、三菱(Mitsubishi)、富士通(Fujitsu)、東芝(Toshiba)、NEC 五 大公司作為骨干，聯(lián)合通產(chǎn)省的電氣技術(shù)實驗室(EIL)、日本工業(yè)技術(shù)研究院電子綜合 研究所和計算機綜合研究所，組建“VLSI 聯(lián)合研發(fā)體”，投資 720 億日元(其中日本政府 出資 320 億日元)，攻堅超大規(guī)模集成電路 DRAM 的技術(shù)難關(guān)。1980 年，日本 VLSI 聯(lián) 合研發(fā)體宣告完成為期四年的“VLSI”項目，研發(fā)的主要成果包括各型電子束曝光裝置，采 用紫外線、X 射線、電子束的各型制版裝置、干式蝕刻裝置等，各企業(yè)的技術(shù)整合，保證 了 DRAM 量產(chǎn)良率高達 80%，遠超美國的 50%，構(gòu)成了壓倒性的總體成本優(yōu)勢。從 1980 至 1986 年，美國半導(dǎo)體市場從 61%下降到 43%，而日本由 26%上升至 44%，奠定了當(dāng) 時日本在 DRAM 市場的霸主地位。韓國乘家用 PC 興起的東風(fēng)，憑借對 DRAM 的高速研發(fā)和大規(guī)模生產(chǎn)優(yōu)勢，從仿制、研 發(fā)走向自主創(chuàng)新，超越日本成為全球半導(dǎo)體市場的后期新秀。韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)興起基于 兩點：一方面，學(xué)習(xí)能力較強的韓國企業(yè)在政府和財團的大力幫助秉承高速研發(fā)的勢頭在 DRAM 領(lǐng)域不斷革新。另一方面韓國企業(yè)在投資、結(jié)構(gòu)、技術(shù)方面均有一定優(yōu)勢，并借 助大規(guī)模生產(chǎn)進一步擴大自己的市場份額，特別是在三星電子的關(guān)于“DRAM 雙向型數(shù)據(jù)通選方案”得到美國半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)化委員會的認(rèn)可，其 DRAM 成為與 MPU 匹配的對象，韓 國 IC 產(chǎn)品遍及世界的序幕至此拉開。此后，韓國 IC 產(chǎn)業(yè)從“一枝獨秀”的 DRAM 存儲器 成功衍生向多點開花的非 MEMORY 領(lǐng)域。 1993 年，美國以 43%的全球半導(dǎo)體市場份額奪回了第一的位置，日本以 40%的份額位居 第二。與此同時，韓國和臺灣制造商開始擴大向客戶供貨的能力，并逐漸成為全球性半導(dǎo) 體公司。1994 年，韓國和臺灣總共占有全球市場的 10%，相當(dāng)于歐洲市場的份額。到上 世紀(jì) 90 年代末，由于美國的成功以及韓國和臺灣制造商的崛起，日本制造商的份額下降 到了 28%。至 1998 年，當(dāng)日本和美國制造商在 DRAM 市場苦苦掙扎時，韓國制造商在 DRAM 領(lǐng)域大力推動工廠和設(shè)備的開發(fā)和投資，在 1998 年超過了日本，從而占據(jù)主導(dǎo)地 位。 臺灣集成電路發(fā)展之路發(fā)跡于封裝環(huán)節(jié)，另辟蹊徑，從代工起步，謀求在全球芯片中的 一席之地。在晶圓代工業(yè)的推進下，形成設(shè)計、掩膜制版、芯片制作、封裝、測試等環(huán)節(jié) 在內(nèi)的產(chǎn)業(yè)集群。新竹園區(qū)內(nèi)的一些重要 IC 企業(yè)在分工趨勢的引導(dǎo)下，專注于 IC 設(shè)計， 例如茂矽、矽統(tǒng)等。縱觀這兩次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移的過程，可以發(fā)現(xiàn)其共同點都是從存儲業(yè)務(wù)開始，即日本、韓國均是 從存儲切入逐漸做大做強，并帶動整個產(chǎn)業(yè)鏈的完善。當(dāng)前隨著中國大陸的崛起，全球半 導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在進行第三次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移，中國擁有雄厚的資金、政策、技術(shù)(人才)、產(chǎn)業(yè)集 群效應(yīng)強大等優(yōu)勢，正逐漸成為第三次半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移地，而從存儲領(lǐng)域切入有望加速突 破。1.3 我國半導(dǎo)體及存儲行業(yè)基礎(chǔ)薄弱，國產(chǎn)替代空間巨大根據(jù) Mckinsey & Company 的數(shù)據(jù)，2030 年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模將超過 1 萬億美元。其 中汽車半導(dǎo)體市場規(guī)模將從 2021 年的 500 億美元成長到 2030 年的 1500 億美元， 2021-2030 年車用半導(dǎo)體復(fù)合增長率在所有細分領(lǐng)域中排名第一，CAGR 達 13%。工業(yè) 半導(dǎo)體的市場規(guī)模將從 2021 年的 600 億美元成長到 2030 年的 1300 億美元，2021-2030 年 CAGR 達 9%，而通信及消費電子的占比將持續(xù)下降。中國半導(dǎo)體消費量全球占比約 53%，但半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自給率僅為 17.5%。IBS 數(shù)據(jù)顯示， 2019 年中國消費半導(dǎo)體約占全球總量的 53%，預(yù)計到 2030 年，這一比例將提升到 58% 左右。從消費結(jié)構(gòu)上看，2006 年中國消費的半導(dǎo)體中中國企業(yè)消費占比約為 11.5%，消 費領(lǐng)域主要為個人電腦，其他均是用于出口;到 2019 年，中國企業(yè)的消費率提升至為 43%， 主要領(lǐng)域為智能手機、數(shù)據(jù)中心和汽車等，預(yù)計 2030 年，中國消費的半導(dǎo)體中，中國企 業(yè)消費比例將提升到 69%。但從半導(dǎo)體供應(yīng)鏈來看，截至到 2020 年中國半導(dǎo)體自給率僅 為 17.5%，預(yù)計到 2030 年這一比例能提升至 40%，即仍有 60%的半導(dǎo)體需要進口，國 產(chǎn)替代空間巨大。中國大陸以及香港存儲廠商多而不強，國產(chǎn)廠商具備做大做強的機遇。根據(jù) Yole 的數(shù)據(jù)， 2021 年全球存儲芯片產(chǎn)業(yè)鏈擁有超過 185 家廠商，廠商數(shù)量按區(qū)域來劃分，北美占比最 高為 38%，其次是中國大陸及香港占比 22%、中國臺灣占比 21%、EMEA(中東、非洲 以及歐洲)占比 9%、日本占比 6%、韓國占比 3%。中國存儲廠商在營收上的潛在成長空間巨大。從全球存儲芯片市場規(guī)模來看，即便中國大 陸、香港以及中國臺灣在全球存儲產(chǎn)業(yè)鏈上的廠商數(shù)量占比接近 45%，但是總體營收規(guī) 模仍然相對較小。除中國臺灣廠商南亞科占據(jù)接近 2%的市場份額外，其他存儲廠商占比 不足 2%，與海外的龍頭存儲廠商三星(39%)、海力士(22%)、美光(18%)等差距 較大。目前，國內(nèi)在存儲 IDM、存儲 Fabless、晶圓代工、主控芯片、封裝測試、模組等 全產(chǎn)業(yè)鏈上均有廠商布局。根據(jù) UNIM internal 的數(shù)據(jù)，預(yù)計 2030 年中國廠商將會成為 存儲產(chǎn)業(yè)鏈上不可忽視的重要力量。盡管我國對半導(dǎo)體的需求及其市場規(guī)模日益增長，但我國存儲行業(yè)基礎(chǔ)依舊相對薄弱。隨 著大陸市場的崛起，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在進行第三次轉(zhuǎn)移，中國旺盛的市場需求、政策、 技術(shù)(人才)、產(chǎn)業(yè)集群效應(yīng)強大等優(yōu)勢，正逐漸成為第三次半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移地，而從存 儲領(lǐng)域切入有望加速突破。 旺盛的市場需求：隨著大數(shù)據(jù)逐漸發(fā)展，行業(yè)數(shù)據(jù)呈指數(shù)級增長，機器所產(chǎn)生的數(shù)據(jù)量在 2018 年首次超越人類所創(chuàng)造的數(shù)據(jù)量。企業(yè)對存儲行業(yè)的需求日益增長。2021 年全球大 數(shù)據(jù)儲量已達到 54ZB，是 2017 年儲量的兩倍，預(yù)計在 2021 年將到達 61ZB。全球大數(shù) 據(jù)儲量的增長，也反映了全球信息行業(yè)對存儲行業(yè)的需求快速上升，2022 年全球大數(shù)據(jù) 市場規(guī)模有望達 718 億美元。政策強力扶持：2014 年國務(wù)院頒布了《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要》，提出設(shè)立國 家集成電路產(chǎn)業(yè)基金(簡稱“大基金”)，將半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新技術(shù)研發(fā)提升至國家戰(zhàn)略高度。 在核心基礎(chǔ)零部件方面。隨后幾年，從國家到地方層面持續(xù)推出各類政策支持國內(nèi)半導(dǎo)體 產(chǎn)業(yè)發(fā)展。在技術(shù)層面，國內(nèi)廠商加速追趕。近年來國內(nèi)存儲芯片廠商奮力追趕，已在部分領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn) 突破，逐步縮小與國外原廠的差距。其中，兆易創(chuàng)新位列 NOR Flash 市場前三，聚辰股 份在 EEPROM 芯片領(lǐng)域市占率全球第三，長江存儲 128 層 3D NAND 存儲芯片，直接跳 過 96 層，加速趕超國外廠商先進技術(shù)。經(jīng)過十幾年的技術(shù)積累，目前中國已基本形成完整的存儲產(chǎn)業(yè)鏈條，在存儲 IDM、Fabless、 晶圓代工、封裝測試、模組、材料和設(shè)備上都有國內(nèi)廠商布局，并形成了長三角、珠三角、 京津環(huán)渤海與中西部四大主要產(chǎn)業(yè)聚落，產(chǎn)業(yè)集群效應(yīng)強大，進一步提高了區(qū)域生產(chǎn)效率 和加深區(qū)內(nèi)生產(chǎn)的分工和協(xié)作。同時，我國本土電子產(chǎn)業(yè)成長迅速，已成為電子產(chǎn)品生產(chǎn) 制造大國，本土芯片設(shè)計企業(yè)的技術(shù)能力和市場能力迅速發(fā)展壯大。根據(jù) ICCAD 的數(shù)據(jù)， 2021 年中國大陸半導(dǎo)體設(shè)計公司數(shù)量達到 2810 家，同比增長 26.7%。2015-2021 年期 間，我國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額的年增速在 15%以上。總體來看，我們認(rèn)為無論從經(jīng)濟技 術(shù)層面或是國家發(fā)展半導(dǎo)體的決心的角度，我國通過切入存儲成為半導(dǎo)體強國的趨勢勢不 可擋。二、DRAM 和 Flash 是大廠存儲技術(shù)爭奪的主戰(zhàn)場2.1 DRAM 與 Flash 是市場主流的半導(dǎo)體存儲器半導(dǎo)體存儲器從易失性角度分為隨機存儲器 RAM 和只讀存儲器 ROM 兩種。隨機存儲器 RAM 在斷電后無法保存數(shù)據(jù)，主要用于存儲短時間使用的程序。ROA 也被稱為主存和只 讀內(nèi)存，它只能讀出事先所存數(shù)據(jù)，而不能像隨機存儲器那樣能快速、方便的改寫，但具 有隨時讀寫、速度快的特性，通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運行中的程序的臨時數(shù)據(jù)存儲 媒介。目前市場主流的半導(dǎo)體存儲器以 DRAM(動態(tài)隨機存儲)、NAND Flash 和 NOR Flash。 DRAM 集成度高、價格便宜、功耗低、存取速度慢。DRAM 被稱為動態(tài)隨機存儲，它通 過不斷地刷新電路來進行數(shù)據(jù)的保存，從存儲能力來說，DRAM 所能提供的存儲容量更 大，訪問時間較長，但由于不斷刷新電路也導(dǎo)致其功耗較高，速度較慢，且每個芯片有 1 個晶體管和一個電容。 Flash 可分為 NOR Flash 和 NAND Flash 兩大類：NAND 容量大、單位容量成本低，NOR 讀取速度快、可靠性高、擦除速度快。NOR Flash 以編碼應(yīng)用為主，其功能多于運算相 關(guān)，主要應(yīng)用場景為各移動端/車機端的系統(tǒng)中，而 NAND Flash 主要功能是存儲資料， 多應(yīng)用于嵌入式系統(tǒng)采用的 DOC 及閃盤。相對于 NAND Flash，NOR Flash 的優(yōu)勢在于 其讀取速度較快。預(yù)計 2023 年全球半導(dǎo)體存儲市場規(guī)模將達 1116 億美元，21 年 DRAM 和 NAND Flash 合計占據(jù)超 97%的市場份額。受下游需求萎靡的影響，WSTS 預(yù)測 2023 年全球存儲器 市場規(guī)模將達 1116 億美元，同比下滑 17%。從產(chǎn)品結(jié)構(gòu)上看，根據(jù) IC Insights 的數(shù)據(jù)， DRAM 銷售額在 2021 年約占整個存儲市場的 56%，閃存的比重約達到 43%，其中 NAND 閃存為 41%，NOR 閃存為 2%，其他存儲芯片(EEPROM、EPROM、ROM、SRAM) 將會緩慢成長，但大幅搶占市場的可能性較小。2021 年中國半導(dǎo)體存儲市場規(guī)模超 3300 億元。根據(jù)智研咨詢的數(shù)據(jù)，2014-2021 年中 國半導(dǎo)體存儲市場規(guī)模由 1274 億元成長至 3383 億元，年均復(fù)合增長率達到 15%。從產(chǎn) 品結(jié)構(gòu)上看，根據(jù)華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院的數(shù)據(jù)，2020 年中國存儲市場中 DRAM 占比為 53%， NAND 占比為 42%，NOR 占比為 3%，整體 DRAM 與 Flash 合計占比達 98%。2.2 2024 年 NAND 市場規(guī)模超 680 億美元，市場集中度較高，3D 堆疊成為長期技術(shù)趨 勢從收入端看，受下游需求萎靡的影響，NAND 的市場規(guī)模在 2022 和 2023 年連續(xù)兩年保 持下修，2023 年 NAND 的市場規(guī)模將下滑到 527 億美元，同比減少 14%。隨著 NAND 原廠陸續(xù)縮減資本開支，NAND 產(chǎn)能正在逐漸收斂，庫存去化正在進行。我們看好原廠和 渠道的庫存水位或在 2023 年 Q2 或 Q3 見頂，NAND 價格出現(xiàn)彈性，2024 年 NAND 市 場有望實現(xiàn)復(fù)蘇。根據(jù) TrendForce 的數(shù)據(jù)，2024 年全球 NAND 芯片市場規(guī)模達 684 億 美元，同比增長 29.7%，接近 2021 年的水平。 從消費量和 ASP 看，受益于手機和服務(wù)器單機搭載容量的成長，全球 NAND 出貨量保持 強勁增長。以 8GB 等價計算，2023 年 NAND 出貨量有望達 8954 億顆，同比增加 21%。 2024 年 NAND 出貨量有望繼續(xù)成長 26%，達 11280 億顆。NAND 芯片單價在 2021-2023 年將持續(xù)下跌，預(yù)計 2023 年以 8GB 計算的 ASP 為 0.059 美元，同比將下滑 28%。預(yù)計 24 年 NAND 芯片的 ASP 將小幅成長 3%，達 0.061 美元。東芝(鎧俠前身)發(fā)明了世界第一塊 NAND 芯片，首次定義閃存概念，隨后三十年 NAND 行業(yè)經(jīng)歷多輪收并購洗牌。1992 年東芝將 NAND Flash 授權(quán)給三星，隨后三星開始自研 NAND 芯片持續(xù)至今;2001 年東芝在連年虧損下將 DRAM 業(yè)務(wù)出售給美光，開始專注 NAND 業(yè)務(wù)，2018 年東芝將存儲器業(yè)務(wù)出售給貝恩資本領(lǐng)銜的財團，隨后于 2019 年改 名為鎧俠;2016 年 WDC 以 190 億美元的價格收購 SanDisk;2020 年海力士收購英特爾 閃存及 SSD 業(yè)務(wù)，至此 NAND 行業(yè)形成了三星、海力士、Solidigm、美光、鎧俠、WDC 六家公司同臺競爭的格局，2022Q3 的 CR6 超過 95%。目前 NAND 行業(yè)集中度整體較高，目前 CR3 市場份額達 65%，CR6 市場份額接近 95%。 從市場結(jié)構(gòu)上看，根據(jù) Statista 和 TrendForce 數(shù)據(jù)顯示，短期內(nèi) NAND 行業(yè)市場入局廠 商增多，行業(yè)集中度有所下降但總體仍較高，2010Q1-2022Q3 NAND 行業(yè) CR3 從 85% 下降到 65%。前三大廠商分別為三星、鎧俠和海力士，2022Q3 市場份額分別為 31.4%、 20.6%和 13.0%，三家合計占比 65.0%。隨著海力士收購英特爾的閃存和 SSD 業(yè)務(wù)，以 及 WDC 重啟與鎧俠的合并談判，我們預(yù)計未來行業(yè)集中度將進一步提高。NAND Flash 依據(jù)閃存顆粒存儲密度可分為 SLC、MLC、TLC 和 QLC 等四大類。不同 型號間的主要區(qū)別在于成本、容量和耐用性。容量取決于每單元可以存儲的信息量，耐久 性取決于閃存擦寫壽命(P/E Cycle)。最初問世的 SLC NAND 設(shè)計架構(gòu)，每個 Cell 單 元存儲 1bit 信息，只有 0、1 兩種電壓變化，結(jié)構(gòu)簡單，電壓控制快速，其特點即壽命長， 性能強，擦寫壽命可達 10 萬次。之后依次問世的 MLC、TLC 和 QLC,每個 Cell 存儲的信 息依次遞增，電壓變化隨存儲信息增加呈指數(shù)級增長，但相應(yīng)的 P/E 壽命隨之減少。由 于每 Cell 單元存儲數(shù)據(jù)越多，單位面積容量就越高，但同時導(dǎo)致不的電壓狀態(tài)越多，越 難控制，所以導(dǎo)致顆粒穩(wěn)定性越差，壽命低，各有利弊。相對于 SLC 來說，MLC 的容量 大了 100%，壽命縮短為 SLC 的 1/10.相對于 MLC 來說，TLC 的容量大了 50%，壽命 縮短為 SLC 的 1/20.目前 SLC 為企業(yè)級服務(wù)器專用閃存顆粒， TLC 已為主流存儲顆粒，QLC 則是未來發(fā)展 趨勢。這四類閃存顆粒中，SLC 的性能最優(yōu)，價格最高，一般用作對于可靠性、穩(wěn)定性 和耐用性有極高要求的工業(yè)控制、航天軍工、通信設(shè)備等企業(yè)級客戶;MLC 性能夠用， 穩(wěn)定性比較好，價格適中，為工業(yè)級和車規(guī)級 SSD 應(yīng)用主流;TLC 是目前消費級 SSD 的主流，價格便宜，但可以通過高性能主控、主控算法來彌補、提高 TLC 閃存的性能; QLC 目標(biāo)是更大容量和更低成本，代表未來發(fā)展趨勢。根據(jù) TrendForce 的數(shù)據(jù)，預(yù)計到 23Q4.QLC 的占比將成長到 17%，PLC 則會有少量出貨。3D NAND 解決了 2D 結(jié)構(gòu)下“閃存縮放限制”的問題。存儲單元尺寸、高性能和低功耗一 直是存儲器業(yè)者持續(xù)追求的目標(biāo)。越小的尺寸讓每片晶圓可生產(chǎn)更多的 die，高性能能滿 足高速運算的需求，低耗電則能改善行動裝置電池充電頻率及數(shù)據(jù)中心系統(tǒng)散熱的問題。 從歷史上來看，存儲器的密度是通過縮小單元格尺寸和間距來增加的。如果單元格的尺寸 和間距減小一半，那么同一區(qū)域結(jié)構(gòu)可以容納四倍的單元格。但受制于工藝的限制，閃存 單元格的參數(shù)只能縮小到一定的尺寸規(guī)模，使用傳統(tǒng)的光刻密集模式的持續(xù)擴展也變得極 為昂貴，而芯片工藝的每一次提升帶來的不僅是元件尺寸的縮小，同時也帶來性能的增強 和功耗的降低，即存在閃存的縮放限制。無論是 SLC NAND 還是其他三種 NAND 均存在 “閃存的縮放限制”，為了打破“閃存的縮放限制”枷鎖，提供高容量、低成本的 NAND Flash， 行業(yè)內(nèi)研發(fā)了多種解決方案，其中最主要的為 3D NAND，即將存儲單元立體化，在二維 平面基礎(chǔ)上，在垂直方向也進行顆粒的排列。大容量、高堆疊層數(shù)的 3D NAND 將是行業(yè)未來發(fā)展趨勢。平面 NAND 由有存儲單元的 水平串組成，而在 3D NAND 中，存儲單元串被拉伸，折疊并以 U 形結(jié)構(gòu)垂直豎立，單 元以垂直方式堆疊來縮放密度。3D NAND 存儲單元類似一個微小的圓柱狀結(jié)構(gòu)，微小單 元由中間的垂直通道組成，中間是結(jié)構(gòu)內(nèi)部的電荷層，通過施加電壓，電子被帶入絕緣電 荷存儲膜中和從中取出，信號就被讀取。以三星為例，由浮動?xùn)沤Y(jié)構(gòu) (Floating Gate) 遷 移至電荷擷取閃存(2D CTF)，將 2D CTF 存儲單元 3D 化變成 3D CTF 存儲單元，最 后通過工藝技術(shù)提升逐漸往上增加存儲單元的層數(shù)。未來大容量、高堆疊層數(shù)的 3D NAND 將是行業(yè)未來發(fā)展趨勢。美光是目前主要產(chǎn)能制程最高的公司，長江存儲的NAND工藝已逐步趕上國際領(lǐng)先水平。 根據(jù) TrendForce 的數(shù)據(jù)，從各廠商的產(chǎn)能結(jié)構(gòu)來看，美光從 2022 年上半年開始逐漸將 產(chǎn)能轉(zhuǎn)向 176 層，目前大部分產(chǎn)能都已轉(zhuǎn)進 176 層，在工藝上領(lǐng)先其他廠商，其余廠商 大多停留在 128 層附近。三星和海力士從 2022 年下半年開始將產(chǎn)能逐漸向更高的 176 層轉(zhuǎn)移。而鎧俠和WDC的聯(lián)盟目前產(chǎn)能主力落在112層，Solidigm繼承自英特爾的工藝， 產(chǎn)能主力落在 144 層。展望 2023 年，我們認(rèn)為美光是最早將產(chǎn)能轉(zhuǎn)進 232 層的廠商，三 星和海力士預(yù)計將在第二季度逐步轉(zhuǎn)進 200 層以上的工藝。Solidigm 以及鎧俠和 WDC 的聯(lián)盟都將停留在 200 層以下的工藝，落后美光、三星和海力士一代左右的工藝水平。三星積極擴充 NAND 產(chǎn)能，意圖擠占競爭對手份額。根據(jù) TrendForce 的數(shù)據(jù)，以存儲位 元產(chǎn)出計算，2023 年全球 NAND 行業(yè)產(chǎn)出 8954 億(等價 8GB)，同比增加 21%。以晶 圓產(chǎn)出計算，2023 年全球 NAND 晶圓產(chǎn)量 2061 萬片(等價 12 英寸)，同比增加 1%。 展望 2023 年各大存儲廠商 NAND 產(chǎn)能情況，三星、YMTC 將增產(chǎn)，鎧俠/WDC、海力士 和美光都將減產(chǎn)。在終端需求不景氣以及 NAND 價格持續(xù)下跌的背景下，三星激進擴產(chǎn) 的原因主要在于：1)NAND 芯片競爭對手較多，部分競爭對手如鎧俠與 WDC 的聯(lián)盟產(chǎn) 品組合單一，專注于 NAND 業(yè)務(wù)，缺乏 DRAM 的產(chǎn)品組合來保護營業(yè)利潤，因此總體抗 風(fēng)險能力略遜于其他同時專注于 DRAM 和 NAND 的存儲廠商。三星或希望通過激進的擴 產(chǎn)計劃，來搶占部分競爭對手的份額。2)三星一部分 NAND 的產(chǎn)能來自西安工廠，長期 來看西安廠擴產(chǎn)能力有限，三星或在韓國廠增加彌補西安廠產(chǎn)能下滑的風(fēng)險。除三星外各大 NAND 存儲廠商紛紛削減 23 年資本開支。根據(jù) Trendforce 的數(shù)據(jù)，2022 年全球 NAND 廠商資本開支 323.95 億美元，同比增加 9%。預(yù)計 2023 年全球 NAND 廠 商資本開支 220 億美元，同比減少 32%。細分廠商來看，三星、鎧俠/WDC 和海力士占 據(jù)資本開支前三名。目前三星在 NAND 業(yè)務(wù)上仍然持續(xù)加大資本開支，希望通過擴充 NAND 產(chǎn)能擠走部分競爭對手。2022 年資本開支同比增加 9%，2023 年同比增加 2%。 鎧俠和 WDC 大幅度下修了 2023 年的資本開支計劃，2023 年同比減少 46%。美光資本 開支的下修程度最高， 2023 年同比減少 54%。海力士資本開支下修幅度與美光接近， 2023 年同比減少 53%。我們看好 2023 年 NAND 價格先跌后漲。在經(jīng)歷 2022 年下半年的劇烈下滑后，許多 NAND 廠商已實際開展減產(chǎn)行動，加之 NAND 較 DRAM 更有價格彈性，我們看好 NAND 價格 下行周期較 DRAM 更早結(jié)束。根據(jù) TrendForce 的數(shù)據(jù)，NAND 價格相較 DRAM 更具彈 性，分供需來看：1)供給端：在 wafer 價格跌破現(xiàn)金價的情況，許多廠商如海力士、鎧 俠和 WDC 已實際展開減產(chǎn)行動，同時疊加美國禁令對 YMTC 的限制，使得 NAND 總產(chǎn) 能收斂較快。2)需求端：長期來看，全球數(shù)據(jù)量指數(shù)增加，云業(yè)務(wù)廠商持續(xù)留存數(shù)據(jù)存 儲的需求。在他們消耗完原有價格較高的 SSD 后，2023 年下半年 NAND 需求量有望增 加。因此，2023 年 NAND 的價格彈性會高于 DRAM。2.3 2023 年全球 DRAM 市場規(guī)模 596 億，三巨頭寡占市場，EUV 和 3D DRAM 或成未 來趨勢DRAM 是當(dāng)前市場主流的半導(dǎo)體存儲器，2023 年全球市場規(guī)模達 596 億美元。根據(jù) TrendForce 的數(shù)據(jù)，預(yù)計 2022 年全球 DRAM 市場規(guī)模為 596 億美元，同比減少 13%。 預(yù)計 2023 年全球 DRAM 市場規(guī)模將達 1552 億美元，同比減少 28%。從出貨量看，以 等價 2GB 計算，預(yù)計 2022 年全球出貨 1048 億顆 DRAM 芯片，同比增加 19%。預(yù)計 2023 年全球出貨 1155 億顆 DRAM 芯片，同比增加 10%。從價格看，以等價 2GB 計算，DRAM 芯片價格持續(xù)下跌，預(yù)計 2022 年同比下滑 17%，2023 年下滑程度進一步放大達 36%。DRAM 領(lǐng)先廠商經(jīng)過不斷地收并購持續(xù)重塑行業(yè)競爭格局，在過去三十年間 DRAM 行業(yè) 經(jīng)歷了從美國到日本再到韓國的變遷。1966 年 IBM 發(fā)明了最早的 DRAM，1970s 英特爾 成為 DRAM 行業(yè)霸主。隨后，美國、日本的廠商紛紛進入 DRAM 行業(yè)，日本以舉國體制 發(fā)展 DRAM 行業(yè)，富士通、日立、三菱、 NEC、東芝等廠商憑借性價比優(yōu)勢快速占領(lǐng)市 場，份額反超美國市場。20 世紀(jì) 80 年代后期，美國對日本廠商使用反傾銷手段，使得韓 國廠商趁亂而起。90 年代后期，DRAM 市場大洗盤開始，1998 年德州儀器將存儲業(yè)務(wù)出 售給美光，1999 年 IBM 將 DRAM 業(yè)務(wù)出售給東芝，1999 年日立和 NEC 合并成立爾必 達，2001 年海力士從現(xiàn)代集團中分拆。21 世紀(jì)初，DRAM 競爭格局為三星、SK 海力士、 奇夢達、美光、爾必達五強爭霸。2008 年金融危機后，存儲行業(yè)進入下行周期，三星持 續(xù)擴充產(chǎn)能加劇行業(yè)競爭，2009 年奇夢達率先破產(chǎn)，2012 年爾必達在申請破產(chǎn)后被美光 收購。數(shù)十年的大浪淘沙后，目前 DRAM 市場主要由三星、海力士與美光獨占，三大公 司市占率超過 95%。從供給端看，DRAM 行業(yè)高度集中，呈現(xiàn)為三星、海力士和美光三家寡頭壟斷的競爭格 局。根據(jù) Statista 和 TrendForce 的數(shù)據(jù)，在 2013 年美光完成對爾必達的收購后，DRAM 行業(yè)集中度持續(xù)上升，2022 年第三季度 CR3 超過 95%，三星、海力士和美光分別占比 41%、29%和 26%。根據(jù)產(chǎn)品規(guī)格不同，DRAM 可分為主流 DRAM 和利基型 DRAM。根據(jù)兆易創(chuàng)新 2021 年 報摘要中轉(zhuǎn)引 TrendForce 的數(shù)據(jù)，2021 年利基型 DRAM 的市場規(guī)模約 90 億美元，在 DRAM 中的占比約 9.5%。主流 DRAM 通常為最新規(guī)格的內(nèi)存產(chǎn)品，具備最先進的性能， 當(dāng)前主流產(chǎn)品為 DDR4 和 DDR5.隨著原廠去庫存壓力加劇，DRAM 價格快速下行，看 好 DDR5 的市場份額有望在 2023 年開始快速提升。目前主流 DRAM 市場中三星、海力 士和美光三分天下，除此之外華邦、南亞和合肥長鑫也都定位于主流 DRAM 供應(yīng)商。利 基型 DRAM 多應(yīng)用于消費電子、汽車、網(wǎng)絡(luò)通訊和工業(yè)控制，技術(shù)門檻相對較低，主流 產(chǎn)品多為 DDR2 和 DDR3.落后于主流 DRAM 產(chǎn)品 1-2 代的差距。利基型 DRAM 競爭格 局相對分散，眾多國內(nèi)外廠商均有產(chǎn)品布局，例如兆易創(chuàng)新、北京君正和東芯股份。隨著 國外大廠逐漸推出利基市場(三星 21Q4 停產(chǎn) DDR2.預(yù)計 23 年停產(chǎn) DDR3;海力士也計 劃停產(chǎn) DDR3)，國內(nèi)廠商將迎來份額提升的機會。隨著 DRAM 制程逐漸接近 10nm，DRAM 單元尺寸的微縮變得越來越復(fù)雜，如何實現(xiàn)對 電容器的進一步縮放以及刻畫越來越密度的圖形成為關(guān)鍵問題。DRAM 急需在材料和架 構(gòu)方面做出突破，從而降低成本、最大限度地降低功耗并提高數(shù)據(jù)傳輸速度。EUV 光刻、 混合鍵合和 3D DRAM 或?qū)⒊蔀槲磥?DRAM 存儲密度和性能持續(xù)增長的關(guān)鍵技術(shù)。短期 內(nèi)，EUV光刻已經(jīng)成為業(yè)內(nèi)共識，EUV的使用使得DRAM制程進一步微縮到15nm以下， 單顆芯片的容量提升到 16GB 以上，三星和海力士已經(jīng)在 1α 制程的 DRAM 生產(chǎn)上引入 EUV 光刻機，相對保守的海光也將在下一代 1γ 制程引入 EUV 光刻機的使用。長期來看， 從 2D 走向 3D 來避開平面縮放的限制或?qū)⒖赡芪磥砜赡艿募夹g(shù)趨勢。DRAM廠商產(chǎn)能增加幅度收斂，DRAM廠商擴產(chǎn)計劃有所延后。根據(jù)TrendForce 的數(shù)據(jù)， 以存儲位元產(chǎn)出計算，2023 年全球 DRAM 行業(yè)產(chǎn)出 1155 億(等價 2GB)，同比增加 10%。以晶圓產(chǎn)出計算，2023 年全球 DRAM 晶圓產(chǎn)量 1931 萬片(等價 12 英寸)，同 比增加 1%。展望 2023 年各大存儲廠商 DRAM 產(chǎn)能情況，三星、海力士和 CXMT 將增 產(chǎn)，分別同比增加 5%、7%和 26%，。美光和南亞都將減產(chǎn)，分別同比減少 12%和 18%。 在新廠商的建設(shè)以及新產(chǎn)能的擴產(chǎn)上，三星 P3L 工廠的建設(shè)完畢，預(yù)計 23Q1 開始量產(chǎn) DRAM，未來三星或?qū)⒃?P3L 持續(xù)擴充產(chǎn)能;美光在中國臺灣取得新廠房土地后暫無新 的進展;海力士有 40-50%的 DRAM 產(chǎn)能在無錫，這部分產(chǎn)能未來引進 EUV 轉(zhuǎn)進先進制 程的可能性較小;南亞和華邦延后了原本的新廠房建設(shè)計劃。根據(jù) TrendForce 的數(shù)據(jù)，2022 年 DRAM 廠商資本開支 302 億美元，同比增加 8%。預(yù) 計 2023 年 DRAM 廠商資本開支 223 億美元，同比減少 26%。細分廠商來看，三星、海 力士和美光占據(jù)資本開支前三名。目前三星的資本開支下修程度最低，2022 年同比減少 3%，2023 年同比增加 5%。海力士資本開支的下修程度最大，2022 年同比減少 15%， 2023 年同比減少 48%。美光資本開支 2022 年同比減少 6%，2023 年同比減少 40%。2022 年其他中小 DRAM 廠商，如華邦、南亞科、CXMT 等廠商的資本開支有所上調(diào)。2.4 NOR 市場空間 25 億美元，國產(chǎn)廠商市占率穩(wěn)步提升NOR Flash 和 NAND Flash 性能和定位不同，二者可互補而不可替代。 NOR 具有不可替代性。雖然與主流的 NAND Flash 相比，NOR Flash 容量密度小、寫入 和擦除速度慢、成本高價格貴，但由于有獨立的數(shù)據(jù)總線和地址總線使得其具有隨機存取 和對字節(jié)行編程操作的能力，支持代碼執(zhí)行(Xip)，極其適合嵌入式的應(yīng)用。而且 NOR Flash 還具備高可靠性、隨機讀取速度快、壽命更長等優(yōu)勢，使得其在擦除和編程操作較 少而直接執(zhí)行代碼的場合，尤其是純代碼存儲的應(yīng)用中廣泛使用，是手機、PC、DVD、 TV、USB Key、機頂盒、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備等代碼閃存應(yīng)用領(lǐng)域的首選。同時，NOR Flash 沒 有壞塊和易于存儲執(zhí)行代碼的性能優(yōu)勢，在車用和工業(yè)等高可靠性應(yīng)用場景中也具有不可 替代性。因此，雖然在智能手機時代 NAND 對 NOR 造成大量的替代，但是 NOR 市場仍 具有不可替代的生存基礎(chǔ)。實際行業(yè)應(yīng)用中 NOR 與 NAND 或 DRAM 互補使用。在實際的行業(yè)應(yīng)用中，客戶多選擇 NOR 與 NAND 或 DRAM 互補使用，一般性原則為：在大容量的多媒體應(yīng)用中選用 NAND 型閃存，而在數(shù)據(jù)/程序存貯應(yīng)用中選用 NOR 型閃存。根據(jù)這一原則，設(shè)計人員將兩種閃 存芯片結(jié)合起來使用，用 NOR 芯片存儲程序，用 NAND 芯片存儲數(shù)據(jù)，使兩種閃存的優(yōu) 勢互補，如手機、PocketPC、PDA 及電子詞典等設(shè)備。以手機為例，采用支持 XIP 技術(shù) 的 NOR 閃存能夠直接運行 OS，速度很快，既簡化設(shè)計，又降低成本，因此一般小巧優(yōu) 雅的手機都采用 NOR+RAM 的設(shè)計;追求大存儲容量的手機則更多地選擇 NAND 閃存; 而同時追求功能和速度的手機則會采用 NOR+NAND+RAM 的設(shè)計，這種取長補短的設(shè) 計能夠發(fā)揮 NOR 和 NAND 各自的優(yōu)勢。NOR Flash 市場經(jīng)歷數(shù)次洗牌，海外廠商逐漸撤退，中國臺灣和中國大陸廠商趁勢而起。 自 1998 年英特爾首次推出 256Kbit NOR 閃存芯片以來，NOR Flash 市場已經(jīng)歷經(jīng)數(shù)次 洗牌。2009 年飛索半導(dǎo)體尋求破產(chǎn)保護，并在 2015 年與賽普拉斯合并;2010 年三星開 始逐漸淡出 NOR Flash 市場;2017 年賽普拉斯、美光科技宣布退出中低容量的 NOR 市 場，轉(zhuǎn)向工控和車載等高端市場。2019 年消費電子需求爆發(fā)，伴隨著海外龍頭逐步退出 部分 NOR Flash 市場，市場供需關(guān)系得以改善，專注消費市場的旺宏、華邦電和兆易創(chuàng) 新等廠商積極擴充產(chǎn)能、增加銷售額，同時也大力向高端市場拓展，使得整體市場份額不 斷提升，NOR Flash 行業(yè)也同步迎來向上拐點。根據(jù) CINNO Research 和 IC Insights 的 數(shù)據(jù)，2021 年 NOR Flash 市場份額主要被華邦、旺宏和兆易創(chuàng)新所占據(jù)，市占率分別為 35%、33%和 23%。2.5 AI 爆火帶動 GPU 需求激增，HBM 有望持續(xù)受益“3D 堆疊+近存儲運算”突破內(nèi)存容量與帶寬瓶頸，成為處理大量數(shù)據(jù)和復(fù)雜處理要求的 理想解決方案。 高帶寬存儲器(HBM, High Bandwidth Memory)是一款新型的高帶寬、高附加值 DRAM產(chǎn)品。憑借獨特的 TSV 信號縱向連接技術(shù)，HBM 內(nèi)部將數(shù)個 DRAM 芯片在緩沖芯片上 進行立體堆疊，其內(nèi)部堆疊的 DDR 層數(shù)可達 4 層、8 層以至 12 層，從而形成大容量、 高位寬的 DDR 組合陣列。TSV 是在 DRAM 芯片上搭上數(shù)千個細微孔并通過垂直貫通的 電極連接上下芯片的技術(shù)。該技術(shù)在緩沖芯片上將數(shù)個 DRAM 芯片堆疊起來，并通過貫 通所有芯片層的柱狀通道傳輸信號、指令、電流。相較傳統(tǒng)封裝方式，該技術(shù)能夠縮減 30%體積，并降低 50%能耗。憑借 TSV 方式，HBM 大幅提高了容量和數(shù)據(jù)傳輸速率。 與傳統(tǒng)內(nèi)存技術(shù)相比，HBM 具有更高帶寬、更多 I/O 數(shù)量、更低功耗、更小尺寸等特征。 除此之外，HBM 堆棧不通過外部互連線的方式與 GPU/CPU/Soc 連接，而是通過中間介 質(zhì)層緊湊快速地連接信號處理器芯片。在傳統(tǒng)的馮諾依曼計算架構(gòu)中，處理器 CPU 存儲 器之間通過數(shù)據(jù)總線進行數(shù)據(jù)交換，而由于存儲與計算單元的結(jié)構(gòu)、工藝、封裝不同，導(dǎo) 致存儲單元的訪問速度遠遠跟不上計算單元的數(shù)據(jù)處理速度，系統(tǒng)每進行一次運算都需要 將參數(shù)輸入存儲器進行一次讀寫，因此信息交換速度的提高極其受制于存儲器的性能。相 比之下， HBM 通過 3D 堆疊多層 DDR 提供海量并行處理能力、通過集成型 HBM 提供 極高的存儲器帶寬，并使得數(shù)據(jù)參數(shù)距離核心計算單元更近，從而有效降低數(shù)據(jù)搬運的延 遲和功耗。在系統(tǒng)集成方面，HBM 將原本在 PCB 板上的 DDR 內(nèi)存顆粒和計算芯片一起 集成到 SiP，有效利用空間、縮小面積。ChatGPT 橫空出世使得 AI 服務(wù)器爆火，催生對高算力 GPU 以及高性能存儲的需求，高 帶寬 HBM 或?qū)⒊掷m(xù)成長。 HBM 當(dāng)前滲透率依然較低，截至 2021 年，HBM 位元需求占整體 DRAM 市場的比例仍 未達 1%，主要由于：(1)消費級應(yīng)用場景對于價格極其敏感，且數(shù)據(jù)處理復(fù)雜程度相 對不高，傳統(tǒng)存儲器足夠滿足其需求，幾乎不需要使用到 HBM;(2)服務(wù)器市場出于性 價比考慮往往不會優(yōu)選 HBM，大部分傳統(tǒng)服務(wù)器仍使用 GDDR5、GDDR6 來提升內(nèi)存性 能，目前搭載高端 AI 算力芯片的服務(wù)器占比僅 1%左右。 這幾年因為英偉達的 GPU 大量被使用在人工智能的云端辨識系統(tǒng)，從每臺服務(wù)器加兩片 高速運算 GPU 卡，4 片到 8 片 GPU 卡都有，讓英偉達在數(shù)據(jù)中心芯片市場的份額從 2018-2019 年的不到 10%，到 2021 年的超過 25%，全球人工智能服務(wù)器占比也逐年提 升至 2021 年近 10%。以英偉達 7nm 芯片 A100 為例，芯片面積雖然高達 826mm2.最 大耗電量達 400W, 但其在浮點半精度，單精度，雙精度稀疏及理論峰值運算都明顯優(yōu)于 同業(yè)，為了讓 A100 的 DGX 人工智能服務(wù)器系統(tǒng)發(fā)揮效能，除了要配備 512GB-2TB DDR4-3200 MT/s DRAM 給 AMD CPU 用外，還要另外配備 320-640GB HBM 給 GPU 使用。以英偉達A100 80GB配置4或8張GPU卡來計算，其HBM用量約為320~640GB。 隨著 AI 模型逐漸復(fù)雜化，將刺激更多的存儲器用量，并帶動 Server 端 DRAM、SSD 和 HBM 的需求成長。所以全球 AI 服務(wù)器(使用 GPU，ASIC 來做人工智能整數(shù)，浮點運算) 出貨占比的提升，對 HBM 內(nèi)存需求同比增長有明顯的拉動作用, 占比逐年提升可期。2023 年以來 Microsoft、Meta、Baidu 和 ByteDance 相繼推出基于生成式 AI 衍生的產(chǎn)品 服務(wù)而積極加單，根據(jù) TrendForce 的數(shù)據(jù)， AI 服務(wù)器用 GPU，主要以英偉達 H100、 A100、A800(主要出貨中國)以及 AMD MI250、MI250X 系列為主，英偉達占比約 80%， 這些高性能 AI 芯片均采用 HBM，因此 TrendForce 預(yù)計 2023-2025 年 HBM 市場 CAGR 有望達 40-45%以上。根據(jù)我們對產(chǎn)業(yè)鏈上下游的調(diào)研，我們看好 2023-2025 年 AI 訓(xùn)練 服務(wù)器出貨量實現(xiàn) 50%左右的高增速，2026 年出貨量增速保持在 30%左右，我們測算得 2026 年 HBM 市場規(guī)模有望達 56.9 億，2022-2026 年 CAGR 有望達 52%，符合市場預(yù) 期。目前全球 HBM 市場仍舊由海力士與三星壟斷，SK 海力士 HBM 技術(shù)起步早，從 2014 年 推出首款 HBM 后，SK 海力士一直是 HBM 行業(yè)領(lǐng)頭羊，目前海力士占據(jù)全球 HBM 市場 一半以上的市場份額。后期在美光、Synopsys 等企業(yè)加入布局 HBM 產(chǎn)品推動行業(yè)加速 競賽后，HBM 內(nèi)存技術(shù)已從 HBM、HBM2、HBM2E 升級至 HBM3 標(biāo)準(zhǔn)(第四代 HBM)。 2021 年 SK 海力士發(fā)布的全球首款 HBM3 適用于 AI、HPC 等容量密集型應(yīng)用，該產(chǎn)品 已于 2022 年 6 月開始量產(chǎn)并供貨英偉達。英偉達對 HBM DRAM 的應(yīng)用，標(biāo)志著高性能 存儲在數(shù)據(jù)中心的應(yīng)用迎來了一個新的時代。2023 年 4 月，SK 海力士宣布已在全球首 次實現(xiàn)垂直堆疊12個單品DRAM芯片，實現(xiàn)最高容量24GB，容量較上一代 HBM3 DRAM 提升 50%，目前已向客戶提供樣品，正在接受客戶公司的性能驗證，將在上半年內(nèi)完成 量產(chǎn)準(zhǔn)備。目前海力士也正在進行 HBM4 的研發(fā)，預(yù)計后續(xù)將廣泛應(yīng)用于 AI、超算、高 性能數(shù)據(jù)中心、推薦引擎、800G 路由器交換機、數(shù)據(jù)庫加速、防火墻監(jiān)測等應(yīng)用領(lǐng)域。 根據(jù) TrendForce 的數(shù)據(jù)，2022 年三大原廠 HBM 市占率分別為 SK 海力士(SK hynix) 50%、三星(Samsung)約 40%、美光(Micron)約 10%。此外，伴隨 AI 訓(xùn)練與推理 模型拉動高階深度學(xué)習(xí) AI GPU 規(guī)格的提升，其熱度也將進一步向上傳導(dǎo)至 HBM 產(chǎn)品的需求拉升與技術(shù)更迭。目前已有 NVIDIA H100 與 AMD MI300 正式搭載 HBM，三大原廠 海力士、三星、美光也已規(guī)劃在 2023 下半年進行相對應(yīng)規(guī)格 HBM3 的量產(chǎn)。海力士作為 HBM 創(chuàng)始者具備先發(fā)優(yōu)勢，預(yù)計在今年將有更多客戶導(dǎo)入 HBM3 的情況下，海力士整體 HBM 市占率有望進一步提升至 53%，而三星、美光則預(yù)計陸續(xù)在今年底至明年初量產(chǎn)， HBM 市占率分別為 38%及 9%。三、重點公司分析3.1 主線一：利基型存儲芯片廠商兆易創(chuàng)新：存儲和 MCU 同步布局，DRAM 業(yè)務(wù)進展提速 存儲器業(yè)務(wù)：1)NOR Flash 產(chǎn)品覆蓋 512Kb~2Gb 大容量的全系列產(chǎn)品(其中 128Mb 以上大容量產(chǎn)品占比超 60%)，55nm 工藝制程出貨量占比已接近 70%，車規(guī) NOR Flash 在行業(yè)頭部客戶業(yè)務(wù)收入高速增長，國際頭部 Tier1 客戶導(dǎo)入工作進展順利，整體下游客 戶結(jié)構(gòu)以中高端客戶為主，海外客戶收入占比超 50%。2)NAND Flash 產(chǎn)品 38nm、24nm 工藝節(jié)點實現(xiàn)量產(chǎn)，并完成 1Gb~8Gb 主流容量全覆蓋。3)DRAM 方面，產(chǎn)品重點布局 安防、機頂盒以及工業(yè)等領(lǐng)域，自研占比逐步提升，17nm DDR3 產(chǎn)品于 2022 年 9 月向 市場推出，相較臺廠 20nm 產(chǎn)品有較強的性價比優(yōu)勢，2023 年有望放量。截至 2023 年 4 月，兆易創(chuàng)新車規(guī)級存儲產(chǎn)品累計出貨量達 1 億顆。 MCU 業(yè)務(wù)：公司在 2022 年 9 月發(fā)布首款基于 M33 內(nèi)核 40nm 制程的車規(guī) MCU，產(chǎn)品 定位車身域、座艙域和安全域上，2023 年有望放量，成為公司營收新的增長點。目前 MCU 已成功量產(chǎn) 37 大產(chǎn)品系列、超過 450 款，在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)上工業(yè)、汽車領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)良好成長， 工業(yè)應(yīng)用為第一大營收來源，同時公司在逆變器、電機驅(qū)動、攜帶式、戶用、微型儲能器 領(lǐng)域也在加速布局。兆易創(chuàng)新 NOR Flash 市占率全球第三，持續(xù)受益于下游 AIoT 及車規(guī)市場高景氣。2021 年兆易創(chuàng)新 NOR Flash 市占率 23.2%，全球排名第三，僅次于華邦和旺宏，且營收體量 快速擴張。公司 128Mb-2Gb 中大容量 NOR Flash 產(chǎn)品占比超 60%，其中工業(yè)和汽車增 長迅速，且制程由 65nm 向 55nm 轉(zhuǎn)換順利，帶來產(chǎn)能和毛利率提升。NOR Flash 應(yīng)用 領(lǐng)域廣泛，目前廣泛應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備、屏幕以及車載電子等下游領(lǐng)域。近年來， AIoT 以及車載存儲為 NOR Flash 市場規(guī)模的擴大提供了重要驅(qū)動力。兆易創(chuàng)新營收穩(wěn)定成長，體量不斷擴張。兆易創(chuàng)新 2021 年實現(xiàn)營業(yè)收入 85.10 億元，同 比增加 89.25%，歸母凈利潤 23.27 億元，同比增加 165.33%。其中存儲芯片業(yè)務(wù)營收 54.51 億元，MCU 業(yè)務(wù)營收 24.56 億元，傳感器業(yè)務(wù)營收 5.46 億元，占比分別為 64%、 29%、6%。2022 年前三季度兆易創(chuàng)新實現(xiàn)營收 67.69 億元，同比增加 6.94%，歸母凈利 潤 20.92 億元，同比增加 26.92%。2022 年前三季度營收和利潤仍保持正向成長，單三 季度遭遇短期調(diào)整，營收和凈利潤同比環(huán)比均下滑，歸因于消費市場需求下行，22Q3 營 收同比減少約 7 億(存儲芯片 4.7 億、MCU 1.4 億，傳感器 0.9 億)，毛利率下滑 3.7% 到 46.1%。短期承壓主要源于消費類市場進入下行周期，疊加經(jīng)濟和疫情等因素影響。北京君正：四大業(yè)務(wù)線并行，車用存儲未來可期2022 年營收小幅增長，新品產(chǎn)業(yè)化落地將打開成長空間。2022 年全年實現(xiàn)總營收 54.12 億元，同比+2.61%，增速下滑主要系 2022 年消費電子需求持續(xù)疲弱，智能視頻芯片、 微處理器芯片業(yè)績承壓。盈利能力來看，公司 2022 年綜合毛利率為 38.56%，較上一年 同期上升 1.6pct。2022 年北京君正四大產(chǎn)品線需求分化，存儲、模擬互聯(lián)實現(xiàn)增長：1)微處理器芯片主要 面向 IoT 市場的各類智能硬件產(chǎn)品，受季節(jié)性需求變化、市場宏觀需求變動等因素影響， 消費類智能硬件產(chǎn)品的市場需求同比下降，二維碼、生物識別、教育電子等細分市場的需 求均出現(xiàn)同比下滑，2022 年實現(xiàn)營收約 1.27 億元，同比下滑 35.96%。2)智能視頻芯 片市場由 2021 年的供不應(yīng)求快速切換到 2022 年供過于求的狀況，需求低迷疊加產(chǎn)業(yè)鏈 去庫存壓力較大，2022 年營收約 6.43 億元，同比下降 34.32%。3)存儲芯片產(chǎn)品線， 北京君正車規(guī) SRAM 和車規(guī) DRAM 在全球車規(guī)細分市場均名列前茅，車規(guī) Flash 芯片的 市場銷售較 2021 年相比實現(xiàn)了大幅增長。隨著汽車智能化的不斷發(fā)展，存儲芯片的單車 價值量預(yù)計將不斷提升，有望推動存儲芯片在車規(guī)市場的長期增長。2022 年實現(xiàn)營收將 近 40.55 億元，同比增加 12.80%，其中汽車、工業(yè)等市場保持了良好的需求。4)模擬 互聯(lián)芯片，2022 年實現(xiàn)收入 4.79 億元，在各個產(chǎn)品線中成長表現(xiàn)最優(yōu)，同比實現(xiàn)增長 16.01%，主要系北京君正在車規(guī) HBLED 芯片等方面已逐漸成為市場主要供應(yīng)商。汽車智能化推動終端市場需求旺盛，車用存儲未來可期。相比于消費級存儲，車載存儲行 業(yè)進入壁壘高、價格波動小、成長速度快。受益于自動駕駛和新能源車需求增加，車用儲 存芯片市場規(guī)模將持續(xù)擴大，其中 DRAM 和 NAND 為需求重點。根據(jù) Yole 的數(shù)據(jù)，2021 年全球車用存儲器市場規(guī)模 43 億美元，DRAM 和 NAND 分別占比 41%和 39%。2027 年車用存儲器市場規(guī)模將成長到 125 億美元，NAND 市場份額將成長到 63%，21-27 年 車用存儲器市場規(guī)模 CAGR 達 20%。東芯股份：國內(nèi) SLC NAND 龍頭，主流存儲產(chǎn)品全覆蓋存儲全品類布局，下游應(yīng)用場景廣泛：東芯股份深耕中小容量存儲芯片的研發(fā)、設(shè)計、銷 售，可提供 NAND、NOR、DRAM 等主要存儲芯片解決方案，為國內(nèi)少數(shù)主流存儲產(chǎn)品 全覆蓋的芯片設(shè)計公司。目前東芯股份設(shè)計并量產(chǎn)的 24nm NAND、48nm NOR 均系大 陸領(lǐng)先制程。目前東芯股份的產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于 5G 通信、物聯(lián)網(wǎng)終端、消費電子、工業(yè)和 汽車電子等領(lǐng)域，已在高通、博通、聯(lián)發(fā)科、紫光展銳、中興微、瑞芯微、北京君正、恒 玄科技等多家平臺商獲得認(rèn)證，成功進入三星電子、海康威視、歌爾股份、傳音控股、惠 爾韋等國內(nèi)外客戶供應(yīng)鏈體系。東芯股份為國內(nèi)少數(shù)幾家覆蓋車規(guī)級 SLC NAND 的企業(yè)之一。目前，車規(guī)級 NAND 市場 主要由國際巨頭壟斷，三星、鎧俠、海力士、西部數(shù)據(jù)與美光合計占據(jù)全球 90%以上的 車規(guī)級 NAND 市場規(guī)模。東芯股份 SLC NAND 工藝制程覆蓋 38nm、24nm，產(chǎn)品覆蓋 1Gb 到 32Gb，并且正在開發(fā) 1xnm 工藝，19nm 車規(guī)級產(chǎn)品已完成首輪晶圓流片。在 38nm 工藝上，東芯股份 2022 年已經(jīng)可以為客戶提供車規(guī)級的 PPI NAND 以及 SPI NAND 的 樣品，包括 1G、2G 到最大的 8G 車規(guī)的 NAND Flash。我們認(rèn)為未來新能源汽車發(fā)展疊 加國產(chǎn)替代趨勢，將為東芯股份發(fā)展帶來廣闊增長空間。普冉股份：NOR Flash+EEPROM 雙輪驅(qū)動，特色工藝構(gòu)筑核心競爭力SONOS+ETOX 雙工藝結(jié)構(gòu)驅(qū)動，中小容量存儲產(chǎn)品具有絕對成本優(yōu)勢：普冉股份 NOR Flash 業(yè)務(wù)在國內(nèi)供應(yīng)商中排名第二，2021 年占普冉股份總營收的 78.37%。1)在 512Kbit-128Mbit 中小容量 NOR Flash 系列產(chǎn)品上，普冉股份采取市場少有的賽普拉斯授 權(quán)電荷俘獲 SONOS 工藝結(jié)構(gòu)，在 40nm 工藝節(jié)點上開發(fā)差異化產(chǎn)品，SONOS 工藝結(jié) 構(gòu)具備低功耗、高可靠性、低工藝復(fù)雜度及低成本等顯著特征，在中小容量 NOR 市場占 據(jù)優(yōu)勢。目前 NOR Flash 行業(yè)主流工藝制程為 55nm，普冉股份 40nm 工藝制程下 4Mbit 到 128Mbit 容量的全系列產(chǎn)品均已實現(xiàn)量產(chǎn)，處于行業(yè)內(nèi)領(lǐng)先技術(shù)水平;2)在大容量 NOR Flash 系列產(chǎn)品上，產(chǎn)品高端化鎖定未來增量。普冉股份在已有產(chǎn)品技術(shù)上，采用浮柵 (ETOX)工藝結(jié)構(gòu)，提供以中大容量為主、中小容量為輔的系列產(chǎn)品，已達到 50nm 的 先進制程，目前已經(jīng)實現(xiàn)了六顆產(chǎn)品的大批量量產(chǎn)出貨，256Mbit 到 1Gbit 容量產(chǎn)品正在 依照規(guī)劃逐步推出。EEPROM 市場空間廣闊，下游市場需求高增。EEPROM 由于其獨特的芯片結(jié)構(gòu)，具備 高可靠性、長使用壽命和高性價比等優(yōu)點，滿足了消費電子、工業(yè)控制、汽車電子等領(lǐng)域 穩(wěn)定的數(shù)據(jù)存儲需求。近年來，隨著智能手機攝像頭的多攝配置和功能升級的趨勢，疊加 汽車智能化和電動化的必然趨勢，EEPROM 市場規(guī)模持續(xù)提升。普冉股份 EEPROM 產(chǎn) 品容量覆蓋 2Kbit–4Mbit, 業(yè)務(wù)客戶覆蓋多家知名手機攝像頭模組廠及聞泰科技、華勤通 訊、龍旗科技等 ODM，終端客戶為國內(nèi)多家主流手機和家電品牌。此外，普冉股份持續(xù) 改善下游業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)，EEPROM 產(chǎn)品自 2022 年 Q1 開始逐步向工控、家電、車載等領(lǐng)域 傾斜，消費類占比明顯下降，目前普冉股份中大容量 EEPROM 已實現(xiàn) 95nm 及以下制程 量產(chǎn)，部分車規(guī)級產(chǎn)品順利通過 AEC-Q100 認(rèn)證。恒爍股份：深耕中小容量 NOR Flash，MCU 構(gòu)筑第二成長曲線深耕中小容量 NOR Flash，營收和市占率穩(wěn)健成長。恒爍股份 NOR Flash 主要為 128Mb 及以下的中小容量產(chǎn)品，具有高可靠性、高性能、低功耗、寬電壓范圍和寬溫度范圍等特 點，目前主要用于可穿戴設(shè)備、手機屏、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備、TWS 耳機及電池驅(qū)動通訊模組等 終端設(shè)備，并同步開展大容量(256Mb/512Mb/1Gb)產(chǎn)品的研發(fā)。2021 年恒爍股份營收 實現(xiàn)快速增長，NOR Flash 實現(xiàn)營收 4.97 億元，同比增長 104.54%;MCU 產(chǎn)品實現(xiàn)營 收 0.77 億元，同比增長 974.13%。國際龍頭的退出與可穿戴設(shè)備的發(fā)展助推恒爍股份 NOR Flash 業(yè)務(wù)。隨著國際龍頭退出 消費類 NOR Flash 市場，以及恒爍股份不斷進行技術(shù)迭代，NOR Flash 國產(chǎn)替代空間廣 闊。可穿戴設(shè)備同樣對 NOR Flash 產(chǎn)生大量需求。根據(jù) IDC 的數(shù)據(jù)，2021 年全球可穿 戴設(shè)備出貨量接近 5 億臺。隨著全球可穿戴設(shè)備滲透率進一步提升，NOR Flash 用量有 望繼續(xù)增長。3.2 主線二：存儲模組廠商江波龍：國內(nèi)存儲模組龍頭廠商，前瞻布局工規(guī)和車規(guī)級存儲器深耕存儲應(yīng)用與數(shù)據(jù)管理，四大產(chǎn)品線蓬勃發(fā)展。江波龍成立于 1999 年，主要從事 Flash 及 DRAM 存儲器的研發(fā)、設(shè)計和銷售。目前，江波龍擁有嵌入式存儲、固態(tài)硬盤、移動 存儲和內(nèi)存條四大產(chǎn)品線。按品牌劃分，公司已經(jīng)形成了以 Foresee 品牌為載體的面向 工業(yè)市場的產(chǎn)品矩陣及以 Lexar(雷克沙)品牌為載體的面向消費者市場的產(chǎn)品矩陣。全球數(shù)據(jù)中心加大投資拉動企業(yè)級存儲的需求，國產(chǎn)企業(yè)級存儲廠商發(fā)展迅速且空間廣闊。 根據(jù)智研咨詢的數(shù)據(jù)，2022 年全球云計算市場規(guī)模 4053 億美元，同比增長 22.6%，面 向服務(wù)器、云計算的企業(yè)級存儲領(lǐng)域具備廣闊的市場前景。根據(jù) IDC 的數(shù)據(jù)，2021 年英 特爾、三星、美光等國際存儲原廠占中國企業(yè)級 SSD 市場份額合計超過 70%，居主導(dǎo)地 位。隨著國家對數(shù)據(jù)安全自主可控的重視程度不斷增加，存儲器作為數(shù)據(jù)存儲的直接載體， 其對于數(shù)據(jù)安全可控戰(zhàn)略的落地及實現(xiàn)具有關(guān)鍵作用，也意味著國內(nèi)企業(yè)級 SSD 廠商將 迎來更廣闊的發(fā)展空間。佰維存儲：嵌入式存儲為基，存儲器研發(fā)封裝一體化佰維存儲主要從事半導(dǎo)體存儲器的研發(fā)設(shè)計、封裝測試、生產(chǎn)和銷售，產(chǎn)品及服務(wù)包括嵌 入式存儲、消費級存儲、工業(yè)級存儲及先進封測服務(wù)。1)嵌入式存儲產(chǎn)品類型涵蓋 ePOP、 eMCP、eMMC、UFS、BGA SSD、LPDDR、MCP、SPI NAND 等，廣泛應(yīng)用于手機、 平板、智能穿戴、無人機、智能電視、筆記本電腦、智能車載、機頂盒、智能工控、物聯(lián) 網(wǎng)等領(lǐng)域，部分嵌入式存儲已達到車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)。2)消費級存儲包括固態(tài)硬盤、內(nèi)存條和移 動存儲器產(chǎn)品，主要應(yīng)用于消費電子領(lǐng)域。3)工業(yè)級存儲包括工規(guī)級 SSD、車載 SSD 及工業(yè)級內(nèi)存模組等，主要面向工業(yè)類細分市場，應(yīng)用于 5G 基站、智能汽車、智慧城市、 工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)、高端醫(yī)療設(shè)備、智慧金融等領(lǐng)域。4)子公司惠州佰維專精于存儲器封測及 SiP 封測，目前掌握 16 層疊 Die、30~40μm 超薄 Die、多芯片異構(gòu)集成等先進工藝量產(chǎn) 能力。3.3 主線三：存儲配套芯片及產(chǎn)業(yè)鏈廠商瀾起科技：全球內(nèi)存接口芯片龍頭，持續(xù)受益于 DDR5 滲透率提升主營業(yè)務(wù)卡位內(nèi)存接口芯片優(yōu)質(zhì)賽道，行業(yè)壁壘高毛利高。全球內(nèi)存接口芯片認(rèn)證、技術(shù) 壁壘高，行業(yè)格局高度集中，自 DDR4 世代開始，全球內(nèi)存接口芯片僅剩瀾起科技、IDT、 Rambus三大玩家，同時由于市場競爭者少，內(nèi)存接口芯片毛利率常年維持較高水平。2021 年公司內(nèi)存接口芯片營收 17.17 億元，占總營收的 67.01%，毛利率高達 66.72%。預(yù)計 瀾起科技未來將憑借被納為 JEDEC DDR4 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的“1+9”架構(gòu)及通過英特爾權(quán)威認(rèn) 證等優(yōu)勢，持續(xù)提升內(nèi)存接口芯片市占率并穩(wěn)固全球霸主地位。 AI 革命及國產(chǎn)替代趨勢驅(qū)動津逮服務(wù)器/AI 芯片業(yè)務(wù)增量。瀾起科技于 2016 年與英特爾 和清華大學(xué)合作開發(fā)津逮服務(wù)器 CPU，目前產(chǎn)品已迭代至第三代，其集成深度學(xué)習(xí)加速 技術(shù)，強化了 AI 訓(xùn)練及推理能力，契合近期 AI 大爆發(fā)對 CPU 快速處理海量數(shù)據(jù)的計算 需求。2021 年服務(wù)器 CPU 營收由 2020 年的 0.30 億元飛速成長到 8.45 億元。預(yù)計未來 伴隨我國數(shù)據(jù)安全政策體系逐步完善，國產(chǎn)替代趨勢以及我國信創(chuàng)安全持續(xù)布局背景下， 服務(wù)器 CPU 業(yè)務(wù)將持續(xù)放量并帶來瀾起科技業(yè)績增長。瀾起科技的核心技術(shù)均系自主研發(fā)結(jié)果,每年的研發(fā)支出占營收比例均在 15%以上。此外， 瀾起科技覆蓋從 DDR2 到 DDR5 的完整解決方案，并獲 Intel、Samsung、SK hynix 權(quán) 威認(rèn)證，產(chǎn)品可應(yīng)用于各種緩沖式內(nèi)存模組，滿足高性能服務(wù)器對高速、大容量的內(nèi)存系 統(tǒng)的需求。目前，瀾起科技的 DDR4 及 DDR5 內(nèi)存接口芯片已成功進入國際主流內(nèi)存、 服務(wù)器和云計算領(lǐng)域，并占據(jù)全球市場的重要份額。歷經(jīng)二十余年發(fā)展，瀾起科技在行業(yè) 內(nèi)話語權(quán)不斷提高，公司內(nèi)部分研發(fā)人員在全球微電子產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)標(biāo)準(zhǔn)機構(gòu) JEDEC 中擔(dān) 任重要職務(wù)，并入選 JEDEC 董事會，自 DDR4 世代開始，瀾起科技便深度參與 JEDEC 國際標(biāo)準(zhǔn)制定，以自身突出研發(fā)實力獲得市場高度認(rèn)可。
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