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瑞薩AT45DB641E-SHN-B存儲芯片的中文參數、應用領域和功能特點

來源:瑞薩AT45DB641E-SHN-B| 發布日期:2025-10-25 11:33

瑞薩AT45DB641E-SHN-B存儲芯片中文參數?

?品牌與型號?:瑞薩(Renesas)/AT45DB641E-SHN-B

?存儲器類型?:串行DataFlash(SPI接口,支持RapidS高速模式)

?存儲容量?:64Mb(8MB),組織為256字節/264字節×32,768頁

?接口類型?:SPI(模式0/3),支持RapidS串行接口(最高85MHz時鐘頻率)

?工作電壓?:1.7V~3.6V(兼容低電壓場景,如電池供電設備)

?供電電流?:

活躍讀取電流:7mA(典型值,85MHz時鐘)

深度睡眠電流:5μA(典型值)

超深度睡眠電流:400nA(典型值)

?封裝形式?:8-SOIC(5.24mm×5.29mm,表面貼裝)

?引腳數?:8引腳

?工作溫度范圍?:-40℃~+85℃(工業級)

?物理特性?:

高度:1.8mm(SOIC封裝)

符合RoHS標準,無鉛制造

?可靠性?:

數據保持時間:20年(典型)

寫入/擦除周期:100,000次(每頁,典型)

?特色功能?:

雙256/264字節SRAM緩沖區,支持后臺編程

頁擦除(256/264字節)、塊擦除(2KB)、扇區擦除(256KB)、芯片擦除(64Mb)

硬件/軟件復位選項,支持JEDEC標準ID讀取

?應用領域?

?工業控制?:

PLC(可編程邏輯控制器)程序存儲與數據記錄

工業傳感器(如振動、溫度監測)的實時數據存儲

電機驅動器參數配置與固件升級

?汽車電子?:

車載信息娛樂系統(IVI)固件存儲

車身控制器(BCM)配置數據存儲

電池管理系統(BMS)參數校準與日志記錄

?消費電子?:

智能電視、機頂盒的固件升級與用戶設置存儲

便攜式設備(如電子書、手持終端)的代碼與數據存儲

?物聯網(IoT)?:

邊緣計算節點的程序存儲與數據緩沖

無線傳感器網絡節點的配置數據與采集數據存儲

?通信設備?:

路由器、交換機的固件存儲與配置備份

基站設備的參數校準與日志記錄

?功能特點?

?高速讀取與靈活編程?:

支持85MHz時鐘頻率,隨機讀取延遲低至8ns

頁編程(1~256/264字節)直接寫入主內存,或通過緩沖區編程

緩沖區到主內存的頁編程,提升系統寫入效率

?低功耗設計?:

超深度睡眠電流僅400nA,延長電池供電設備續航

支持低功耗讀取模式(15MHz時鐘,電流<15mA)

?高可靠性?:

工業級溫度范圍(-40℃~+85℃),適應惡劣環境

數據保持時間20年,寫入/擦除周期10萬次,滿足長期使用需求

?數據安全與保護?:

個別扇區保護與鎖定功能,防止意外寫入或擦除

128字節一次性可編程(OTP)安全寄存器,存儲唯一標識符

?兼容性與易用性?:

標準SPI接口,兼容主流MCU(如STM32、瑞薩RA系列)

提供開發工具鏈(如數據手冊、驅動庫),簡化集成

?與同類產品的對比優勢?

?成本效益?:相比進口品牌(如Microchip、Cypress),價格更低,性價比突出

?供貨穩定性?:國內生產,避免進口芯片短缺風險

?本土化服務?:提供24小時技術支持、快速響應的FAE服務

?總結?:AT45DB641E-SHN-B是一款高性能、低功耗的64Mb串行DataFlash芯片,適用于對可靠性、讀取速度和功耗要求較高的工業、汽車和物聯網場景。其雙SRAM緩沖區、靈活編程選項和寬溫度范圍,使其成為固件存儲、參數配置和數據記錄的理想選擇。