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美光MT41K128M16JT-125:K存儲芯片的中文參數、功能特點以及應用領域

來源:美光| 發布日期:2025-11-25 15:43

以下是美光 ?MT41K128M16JT-125? 存儲芯片的中文參數、功能特點及典型應用領域的詳細說明:

?一、核心參數?

?存儲容量?:2Gb(128M x 16位),等效于256MB。

?存儲器類型?:DDR3L SDRAM(低電壓版DDR3),支持1.35V工作電壓(兼容1.5V標準)。

?接口類型?:并行接口,16位數據寬度。

?速度等級?:

時鐘頻率:800MHz(DDR模式,等效數據傳輸率1600MT/s)。

列地址選通延遲(CL):CL=9(在125MHz時鐘下延遲9個周期)。

?封裝形式?:96球FBGA(8mm x 14mm),表面貼裝型,適合高密度PCB布局。

?工作溫度范圍?:

商業級:0°C 至 95°C。

工業級:-40°C 至 95°C(部分型號支持)。

?電源電壓?:1.283V ~ 1.45V,典型值1.35V,功耗優化設計。

?關鍵特性?:

支持自動刷新(ASR)和自刷新模式。

集成ECC(錯誤校正碼)功能,單比特錯誤自動糾正。

支持寫均衡(Write Leveling)和輸出驅動校準。

?二、功能特點?

?高速數據傳輸?:

DDR3L技術,雙倍數據速率(DDR),最高支持1600MT/s的數據傳輸速率,滿足高性能計算和實時數據處理需求。

?低功耗設計?:

1.35V工作電壓顯著低于標準DDR3的1.5V,降低能耗約30%,延長電池供電設備續航時間。

?高可靠性?:

工業級溫度范圍(-40°C至95°C)適應嚴苛環境,如車載電子、工業自動化等場景。

ECC功能確保數據傳輸穩定性,誤碼率低于10?1?。

?兼容性與靈活性?:

向下兼容1.5V DDR3接口,便于系統升級。

支持多銀行(8 Bank)架構,提升并行訪問效率。

?封裝優勢?:

96球FBGA封裝體積小(8mm x 14mm),引腳密度高,適合空間受限的嵌入式系統設計。

?三、典型應用領域?

?高性能計算與服務器?:

作為主存儲器,支持多通道高速數據交換,提升服務器整體吞吐量。

?嵌入式系統?:

工業自動化控制、醫療成像設備、網絡設備(如路由器、交換機)等需高可靠性的場景。

?消費電子?:

筆記本電腦內存條(SO-DIMM)、平板電腦、智能電視等,平衡性能與功耗。

?車載電子?:

車載信息娛樂系統(IVI)、高級駕駛輔助系統(ADAS),滿足車規級溫度與可靠性要求。

?通信設備?:

5G基站、網絡安全設備,支持高速數據緩存與實時處理。

?圖形處理與游戲?:

專業圖形工作站、游戲主機,提供低延遲內存訪問,優化渲染效率。