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而各種電阻實現著不同的功能,有些利用電阻熱效應,有些利用電阻限流特性,有些利用電阻阻抗匹配等等,所以電阻的分類也是五花八門,可以細分出很多類別。薄膜厚膜電阻有什么不同之處按照材料的不同、結構的不同、用途的不同甚至是引出電極的不同,都可以將電阻進行完整的分類。比較通用的分類是根據電阻器的阻值是否可調把電阻器分為固定式電阻、可變式電阻和半導體敏感電阻三大類。固定電阻下的細分種類其實很多,線繞電阻、膜式電阻、實芯電阻以及金屬玻璃釉電阻都屬于一經制成阻值就固定不變的電阻。目前用量較多的無疑是膜式電阻和線繞電阻兩類。薄膜電阻與厚膜電阻屬于固定電阻類別下的片狀電阻。片狀膜式電阻器是PCB設計中的用量很大元件,一部分原因當然是因為在大規模生產中安裝這些膜式電阻相對更方便。厚膜電阻指采用厚膜工藝印刷(氧化釕或其他合金的糊狀物)而成的電阻,一般采用絲網印刷或模板印刷工藝,厚度約為100um。就是在陶瓷基底上貼一層鈀化銀電極,然后在電極之間印刷一層二氧化釕作為電阻體。而薄膜電阻是用真空蒸發、磁控濺射等工藝方法,將電阻率材料蒸鍍于基底絕緣材料(氧化鋁陶瓷,硅或玻璃)表面制成,厚度約0.1um,然后通過光刻工藝將薄膜蝕刻成一定的形狀。從定位描述就能看出薄膜電阻無疑是更精細的。選擇合適的片式電阻目前市面上應用的最多的無疑是厚膜電阻,絕大多數電路設計中使用的都是容差在5%和1%的片狀厚膜電阻,便宜且方便。雖然精度不及薄膜電阻,但厚膜電阻器能夠比薄膜電阻器處理更多能量,所以能夠在高功率應用中提供更高性能。薄膜電阻器毫無疑問更貴,基于它更精細的制造工藝,電阻值的設計能做到更精細。薄膜電阻制造工藝更加可控,還可以通過光刻或者激光修正,產生圖案增加電阻路徑并進一步校準電阻值。以往為了阻值更為準確,通常將固定電阻器與稱為“微調電位計”的小型可變電阻器組合。薄膜電阻越來越精細的容差已經可以單獨實現更精確的電阻值,不再需要微調電位計。這樣一來也節省了PCB上寶貴的空間,也有助于減輕設備重量。選擇片式電阻時,薄膜電阻往往針對精度設計,厚膜電阻則針對功率而設計,二者技術之間的區別還是很大的。不過隨著創新的材料和更可控的生產工藝的升級,已經有能夠在不犧牲精度的同時提高薄膜電阻器的能力的方案。不少廠商在薄膜電阻上的突破已經可以看到很多標準型號的薄膜電阻在額定功率上不斷在提高,功率/尺寸比的提供給薄膜電阻在高功率應用中有了更多機會。小結當然,這不是說取代厚膜電阻,厚膜電阻器在大規模應用以及大功率容量應用上仍然是至關重要的,薄膜電阻在精密型和高頻型應用上也是無法取代的。薄膜電阻在功率方面的突破也的確為一些應用提供了更精細的選擇。
薄膜厚膜電阻有什么不同之處
選擇合適的片式電阻
小結
FTDI飛特帝亞FT601Q-B-T是一款功能強大的USB 3.0到FIFO接口橋接芯片,以下是其詳細的中文參數、功能特點以及應用領域介紹:一、中文參數?產品類型?:USB接口集成電路、USB橋接器?系列?:FT60x?封裝?:QFN-76?引腳數?:76?電源電壓?:1.65V~3.6V(也有資料提及最小電源電壓為3V,最大電源電壓為3.3V,具體以實際產品為準)?工作電源電流?:典型值為185mA,也有資料提及最小工作電源電流為65mA?工作溫度?:-40℃~85℃?數據速率?:USB 3.0 Super Speed可達5Gbps?FIFO數據緩沖?:內置16kB RAM?通道數?:支持4個輸入通道和4個輸出通道在FIFO總線連接上?端點數?:多達8個可配置端點(PIPE)?接口?:32位并行接口,數據突發率可達400MB/s二、功能特點?高速傳輸?:支持USB 3.0超高速(5Gbps)傳輸,同時也兼容USB 2.0高速(480Mbps)和USB 2.0全速(12Mbps)傳輸,滿足不同速率需求。?FIFO橋接?:可作為USB 3.0到FIFO的橋接器,支持2個并行從FIFO總線協議245和FIFO模式,方便與外部FIFO存儲器或設備連接。?遠程喚醒?:支持遠程喚醒功能,可通過USB信號喚醒系統或設備。?多電壓I/O?:支持1.8V、2.5V和3.3V等多種電壓I/O,兼容性強。?可編程USB描述符?:用戶可編程USB描述符,方便定制設備屬性和功能。?電池充電檢測?:支持電池充電規范BC1.2,可用于電池充電偵查。三、應用領域?舊版設備升級?:可將舊版外圍設備升級到USB接口,提高數據傳輸速率和兼容性。?系統模塊性增加?:利用USB接口增加系統模塊性,方便擴展和升級。?數據采集?:適用于USB 3.0數據采集系統,提供高速數據傳輸通道。?影像設備?:可用于USB 3.0數字攝像機、數碼相機等影像設備的接口轉換和數據傳輸。?打印掃描設備?:適用于打印機、掃描儀等設備的USB 3.0接口轉換。?醫療/工業成像?:在醫療和工業成像設備中,提供高速、穩定的圖像數據傳輸。綜上所述,FTDI飛特帝亞FT601Q-B-T憑借其高速傳輸、FIFO橋接、多電壓I/O支持等功能特點,在多個領域都有廣泛的應用。如果貴司有芯片采購需求、BOM表配單、芯片樣品測試請聯系客服:4008-622-911或13823669944。
日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出采用玻璃-金屬密封條密封的新系列液鉭電容器---STH。STH電解電容器適用于航空和航天應用,具有Vishay公司SuperTan廣泛系列器件的全部優點,同時采用高可靠性設計,抗沖擊能力達到高可靠性應用H級(500 g),并具有更好的耐振動能力(正弦周期振動:80克;隨機振動:54克),熱沖擊能力高達300次。此次發布的鉭電容器性能達到SuperTan系列高可靠性應用H級標準,為高可靠性液鉭電容器提供低成本器件,同時確保嚴苛應用所需的高可靠性。STH系列電容器適于儲能應用,包括電源、執行器、轉發器、無線電,石油鉆探和水下設備、以及其它高可靠性應用等。D型封裝器件容量達470 μF至1500 μF,120 Hz和+ 25 °C條件下標準容差為± 20 %,同時提供公差為± 10 %的產品。STH系列器件工作溫度- 55 °C至+ 85 °C,降額使用時可達+ 125 °C。120 Hz和+ 25 °C條件下,ESR低至0.50 ?。電容器有標準錫/鉛(Pb)端接和符合RoHS的100 %純錫端接不同類型。新型STH液鉭電容器現可提供樣品并已實現量產,大宗訂貨供貨周期為16至20周。
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