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芯速聯(lián)光電安徽超級制造工廠正式投入使用，加速硅基光電子在光模塊行業(yè)的應用
6月28日，芯速聯(lián)光電安徽超級制造工廠正式投入使用。工廠總建筑面積約1.2萬平方米，潔凈車間面積8000平方米。工廠內已建設完成芯速聯(lián)光電獨有的wafer in-module out一站式智能生產制造平臺，實現(xiàn)了從硅光芯片晶圓加工測試，到400G以上光模塊封裝及測試的全自動化工藝流程。
芯速聯(lián)是一家以硅光及DSP技術為核心，并擁有產業(yè)鏈垂直整合能力的光通信企業(yè)。芯速聯(lián)核心產品覆蓋基于40G / 100G / 400G+ 的陣列波導光柵波分復用芯片及器件、硅光收發(fā)芯片及光器件、光模塊等。
目前公司基于Hyper Silicon PAM4平臺的400G DR4/800G DR8和相干400G ZR/ZR+模塊已實現(xiàn)量產，芯速聯(lián)充足的制造能力與垂直研發(fā)能力可保證快速響應市場激增需求。
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網傳AMD再次進軍手機芯片領域，能否打破PC廠商折戟移動市場的“詛咒”
近日，業(yè)內突傳AMD將進軍手機芯片領域。外媒報道，AMD計劃進入到智能手機市場中，并可能推出類似APU的“Ryzen AI”移動SoC。不久后，臺媒爆料稱，AMD的手機芯片將采用臺積電3nm制程生產，并讓臺積電3nm產能利用率維持滿載。以此來看，AMD此次想要進入手機芯片領域，已成為大概率事件？如果成真，也讓AMD成為繼英特爾、英偉達之后，第三家知名PC芯片企業(yè)再次試水手機芯片，而此前的兩家公司在這一領域已經折戟，不知AMD未來結局如何。AMD再次闖進手機芯片領域許多人可能有疑惑，AMD為何這么晚才進入到移動芯片領域，其實早在21世紀初，AMD便已經涉足過移動市場。2008年，AMD便宣布了Imageon手機處理器產品線，志在為手機產品和手提電話帶來3D加速功能。而AMD Imageon，原為2002年所發(fā)布的ATI Imageon，后在2006年被AMD收購，因此改名為AMD Imageon。彼時AMD的產品共有3顆Imageon芯片以及2款手機顯示核心，顯示核心包括一款3D圖形核心和一款矢量圖形核心。例如AMD Z180 OpenVG 1.x矢量圖形核心則是當時市場上唯一的掌上設備硬件加速矢量圖形顯示解決方案。如果能夠持續(xù)做下去，說不定AMD就能夠獲得比高通當前的市場更大的芯片版圖。不過在2009年，高通以6500萬美元現(xiàn)金收購AMD的移動設備資產，取得了AMD的矢量繪圖與3D繪圖技術、相關知識產權，不用再向AMD繳納技術授權費用。但這次收購并不包括AMD的Imageon圖形芯片與移動設備用的多媒體芯片，AMD仍然保留著Imageon產品的權利，不過以后不會繼續(xù)更新。而高通依靠著AMD的手機圖形技術，發(fā)展出了自家的Adreno圖形處理器，再結合自身的CPU與移動通訊解決方案，從而一舉奠定自身移動處理器霸主地位。當然，AMD此后十余年也確實不在關注移動市場，只專注在PC端，但失去的時間哪有這么容易拿回來，只能慢慢做一些嘗試。2022年，三星發(fā)布了一款全新的移動高端處理器Exynos 2200，這款產品并未沿用過去ARMMali GPU超頻的方式，而是引入了與AMD合作開發(fā)的Xclipse 920 GPU，AMD主要為這款GPU提供基于RDNA 2架構的支持，幫助三星手機實現(xiàn)光線追蹤圖像處理能力。但由于三星自身性能不太好的CPU，加上了一個性能優(yōu)越的GPU，反而讓Exynos 2200不僅發(fā)熱嚴重，性能表現(xiàn)也不佳。甚至于在后續(xù)的三星Galaxy系列手機中，直接取消了Exynos芯片的版本。可以說，在移動芯片領域中，AMD不僅是起了個大早，連晚集也沒有趕好，導致AMD在移動領域的口碑一直無法積累。而今AMD意圖再次進入到移動芯片賽道中，不知道是否能夠在這一領域站穩(wěn)腳跟，我們只能拭目以待。PC市場的霸主，為何很難在移動芯片市場成功？AMD想要進入移動芯片領域，所期望達成的戰(zhàn)略目標很明確，在PC芯片市場，AMD與英特爾競爭激烈；在GPU市場，又面臨英偉達的挑戰(zhàn)。進入手機芯片市場，AMD可以與高通、聯(lián)發(fā)科等展開競爭，打破現(xiàn)有市場格局，提升自身在全球芯片市場的地位和影響力。并且隨著云計算、邊緣計算等領域的興起，移動設備作為重要的終端設備，對于整體計算生態(tài)有著重要影響。AMD可能希望通過進入移動市場，加強其在整個計算產業(yè)鏈中的地位，實現(xiàn)更長遠的戰(zhàn)略目標。但這些目標同樣適用于AMD的競爭對手們，比如英特爾、英偉達。巧合的是，這兩家企業(yè)也同樣在移動芯片領域投入不小，但卻同樣的都未取得成功。以英特爾為例，2003年，英特爾推出了第一款基于移動設備的處理器PXA800F，該處理器采用0.13μm的制程工藝，整合了GSM/GPRS基帶解決方案、高性能應用處理器和閃存等，但英特爾的移動部門當時并未取得理想的成績，于2006年將通信與應用處理器部門出售給了Marvell。后來，英特爾收購了英飛凌移動部門，并推出了采用自家X86架構的Atom處理器。但也正由于采用了X86架構，導致大量軟件無法適配，更別說該處理器還采用了外掛基帶，由于適配率低，即便性能卓越，也讓Atom處理器無用武之地，2016年后英特爾便開始逐漸退出智能手機市場。英偉達則是在2008年推出了Tegra處理器，集成英偉達的Geforce GPU，專門面向移動端設備。甚至到了Tegra 3的推出，還受到不少手機廠商的支持。但隨著Tegra 4的推出，由于依然采用老舊的Geforce ULP分離渲染架構，且需外掛基帶，導致其在市場上競爭力不足。盡管隨后英偉達推出了集成4G基帶芯片的Tegra 4i芯片，但為時已晚，性能相比同期的高通驍龍800已無優(yōu)勢，并未獲得市場青睞。此后，英偉達便逐漸退出了手機市場。很明顯，不管是英特爾還是英偉達，其在手機芯片的性能表現(xiàn)上都還不錯，但由于基帶整合問題、功耗嚴重、兼容性問題等，導致其最終失敗，而AMD想要成功，需要避免走上這兩家企業(yè)的老路。畢竟相對于PC端，移動端用戶不僅對性能有一定要求，對于功耗同樣有著很高的需求。這對于過去總在PC端制造芯片的企業(yè)而言，這一領域無疑是一塊空白。當然，此次從透露出來的消息看，AMD選擇采用臺積電3nm制程來制造芯片，有望能夠在性能與功耗上找到一個平衡，并且依靠AMD本身強大的GPU技術底蘊，推出一款實力強大的移動端產品。
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一文讀懂TI德州儀器 SN65HVDA195-Q1 LIN 收發(fā)器，工作原理+參數(shù)+應用電路圖
SN65HVDA195 器件是本地互連網絡 (LIN) 物理接口和 MOST ECL 接口，該接口集成了具有喚醒和保護功能的串行收發(fā)器。該總線是一種單線雙向總線，通常用于數(shù)據(jù)速率達 20kbps 的低速車載網絡。該器件能以 0kbps 的有效數(shù)據(jù)速率進行傳輸，因為它沒有顯性狀態(tài)超時。SN65HVDA195 通過限流波形整形驅動器將 TXD 上的協(xié)議輸出數(shù)據(jù)流轉換為總線信號，如 LIN 物理層規(guī)范修訂版 2.0 所述。接收器對來自總線上的數(shù)據(jù)流進行轉換并通過 RXD 將此數(shù)據(jù)流輸出。總線共有兩種狀態(tài)：顯性狀態(tài)（電壓接近接地）和隱性狀態(tài)（電壓接近電池）。在隱性狀態(tài)下，總線被 SN65HVDA195 內部上拉電阻器和串聯(lián)二極管拉高，因此響應者模式應用無需外部上拉元件。按照 LIN 規(guī)范，指揮官應用需要一個外部上拉電阻器 (1k?) 加上一個串聯(lián)二極管。特性符合 LIN 物理層規(guī)范修訂版 2.0，以及適用于 LIN 的 SAEJ2602 推薦實踐要求LIN 總線速度高達 LIN 指定的最大值 20kbps，MOST ECL 速度低至 0 波特支持 ISO9141 (K-Line)符合汽車應用要求睡眠模式：超低電流消耗，支持來自 LIN 總線、喚醒輸入（外部開關）或主機微控制器的喚醒事件支持高速接收LIN 引腳提供 ±12kV（人體放電模型）ESD 保護LIN 引腳可處理 –40V 至 40V 的電壓可在汽車環(huán)境中耐受瞬態(tài)損傷 (ISO 7637)7V 至 27V 的直流電源擴展工作電壓范圍（LIN 規(guī)范 7V 至 18V）使用 5V 或者 3.3V I/O 引腳連接至微控制器RXD 引腳上的喚醒請求外部穩(wěn)壓器控制（INH 引腳）適用于 LIN 響應者模式應用的集成上拉電阻器和串聯(lián)二極管低電磁輻射 (EME)、高電磁抗擾度 (EMI)針對電池短路或接地短路提供總線端子短路保護熱保護系統(tǒng)級接地斷開失效防護系統(tǒng)級接地漂移運行未供電節(jié)點不會干擾網絡應用 汽車 工業(yè)感應 白色家電分布式控制簡化方框圖引腳典型應用圖布局檢查功能框圖
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