4008-622-911
美信MAX2611低噪聲放大器工作原理+引腳+應(yīng)用電路圖
MAX2611是一款低電壓、低噪聲放大器，適用于DC至微波頻率范圍。它采用+5V單電源供電，3dB帶寬為1100MHz。MAX2611具有低噪聲系數(shù)和高驅(qū)動(dòng)能力，因此非常適合用于各種發(fā)射、接收和緩沖應(yīng)用。
在典型應(yīng)用中，所需的外部元件只有輸入和輸出隔直電容以及一個(gè)VCC串聯(lián)電阻。為了提高增益和輸出功率，可以將一個(gè)RF扼流圈與偏置電阻上串聯(lián)。
MAX2611采用4引腳SOT143封裝，所需電路板空間很小。
優(yōu)勢(shì)和特點(diǎn)
+5V單電源供電
3dB帶寬：DC至1100MHz
高增益：18dB（500MHz時(shí)）
高驅(qū)動(dòng)能力：在16mA ID時(shí)為+3dBm
低噪聲系數(shù)：3.5dB（500MHz時(shí)）
超小型SOT143封裝
應(yīng)用
衛(wèi)星接收器
電視調(diào)諧器
無線本地環(huán)路
無線局域網(wǎng)
陸地移動(dòng)無線電
機(jī)頂盒
ISM無線電
全球定位系統(tǒng)
MAX2611引腳
典型電路圖
典型操作特性
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一文了解雪崩二極管的工作原理及作用！
雪崩二極管是利用半導(dǎo)體PN結(jié)中的雪崩倍增效應(yīng)及載流子的渡越時(shí)間效應(yīng)產(chǎn)生微波振蕩的半導(dǎo)體器件。如果在二極管兩端加上足夠大的反向電壓，使得空間電荷區(qū)展寬，從N+P結(jié)處一直展寬到IP+結(jié)處。雪崩二極管常被應(yīng)用于微波領(lǐng)域的振蕩電路中，那么其的工作原理是如何的?下面一起來看看：1.工作原理在材料摻雜濃度較低的PN結(jié)中，當(dāng)PN結(jié)反向電壓增加時(shí)，空間電荷區(qū)中的電場(chǎng)隨著增強(qiáng)。這樣，通過空間電荷區(qū)的電子和空穴，就會(huì)在電場(chǎng)作用下獲得的能量增大，在晶體中運(yùn)動(dòng)的電子和空穴將不斷地與晶體原子又發(fā)生碰撞，當(dāng)電子和空穴的能量足夠大時(shí)，通過這樣的碰撞的可使共價(jià)鍵中的電子激發(fā)形成自由電子–空穴對(duì)。新產(chǎn)生的電子和空穴也向相反的方向運(yùn)動(dòng)，重新獲得能量，又可通過碰撞，再產(chǎn)生電子–空穴對(duì)，這就是載流子的倍增效應(yīng)。當(dāng)反向電壓增大到某一數(shù)值后，載流子的倍增情況就像在陡峻的積雪山坡上發(fā)生雪崩一樣，載流子增加得多而快，這樣，反向電流劇增，PN結(jié)就發(fā)生雪崩擊穿。下圖是雪崩擊穿的示意圖。2.微波振蕩雪崩二極管能以多種模式產(chǎn)生振蕩，其中主要有碰撞雪崩渡越時(shí)間(IMPATT)模式，簡(jiǎn)稱崩越模式。其基本工作原理是：利用半導(dǎo)體PN結(jié)中載流子的碰撞電離和渡越時(shí)間效應(yīng)產(chǎn)生微波頻率下的負(fù)阻，從而產(chǎn)生振蕩。另一種重要的工作模式是俘獲等離子體雪崩觸發(fā)渡越時(shí)間(TRAPATT)模式，簡(jiǎn)稱俘越模式。這種模式的工作過程是在電路中產(chǎn)生電壓過激以觸發(fā)器件，使二極管勢(shì)壘區(qū)充滿電子-空穴等離子體，造成器件內(nèi)部電場(chǎng)突然降低,而等離子體在低場(chǎng)下逐漸漂移出勢(shì)壘區(qū)。因此這種模式工作頻率較低，但輸出功率和效率則大得多。除上述兩種主要工作模式以外，雪崩二極管還能以諧波模式、參量模式、靜態(tài)模式以及熱模式工作。3.分類雪崩二極管分單漂移區(qū)雪崩二極管和雙漂移區(qū)雪崩二極管。單漂移區(qū)雪崩二極管的結(jié)構(gòu)有PN、PIN、PNN(或NPP)、PNIN(或NPIP)、MNN。其中PNN結(jié)構(gòu)工藝簡(jiǎn)單,在適中的電流密度下能獲得較大的負(fù)阻，且頻帶較寬，因此在工業(yè)中應(yīng)用較多。雙漂移區(qū)雪崩二極管是1970年以后出現(xiàn)的，其結(jié)構(gòu)為PPNN，實(shí)質(zhì)上相當(dāng)于兩個(gè)互補(bǔ)單漂移區(qū)雪崩二極管的串聯(lián)，從而有效地利用了電子和空穴漂移空間，因此輸出功率和效率均較高。雪崩二極管作用雪崩二極管是一種負(fù)阻器件，特點(diǎn)是輸出功率大，但噪聲也很大。主要噪聲來自于雪崩噪聲，是由于雪崩倍增過程中產(chǎn)生電子和空穴和無規(guī)則性所引起的，其性質(zhì)和散彈噪聲類似。雪崩擊穿是在電場(chǎng)作用下，載流子能量增大，不斷與晶體原子相碰，使共價(jià)鍵中的電子激發(fā)形成自由電子-空穴對(duì)。新產(chǎn)生的載流子又通過碰撞產(chǎn)生自由電子-空穴對(duì)，這就是倍增效應(yīng)。1生2，2生4，像雪崩一樣增加載流子。它是在外加電壓作用下可以產(chǎn)生高頻振蕩的晶體管。產(chǎn)生高頻振蕩的工作原理是：利用雪崩擊穿對(duì)晶體注入載流子，因載流子渡越晶片需要一定的時(shí)間，所以其電流滯后于電壓，出現(xiàn)延遲時(shí)間，若適當(dāng)?shù)乜刂贫稍綍r(shí)間，那么，在電流和電壓關(guān)系上就會(huì)出現(xiàn)負(fù)阻效應(yīng)，從而產(chǎn)生高頻振蕩。它常被應(yīng)用于微波領(lǐng)域的振蕩電路中。以上就是《一文了解雪崩二極管的工作原理及作用！》的所有內(nèi)容了，由于雪崩二極管具有功率大、效率高等優(yōu)點(diǎn)，而且是固體微波源，特別是毫米波發(fā)射源的主要功率器件，因此廣泛地使用于雷達(dá)、通信、遙控、遙測(cè)、儀器儀表中。
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飛索半導(dǎo)體S29GL256S90DHI020存儲(chǔ)器的介紹、特性以及應(yīng)用電路圖
S29GL256S90DHI020飛索半導(dǎo)體SPANSION生產(chǎn)的一款32位閃存存儲(chǔ)器。特性CMOS 3.0 V核心，帶多功能I/O?65 nm鏡面? Eclipse技術(shù)?用于讀取/編程/擦除的單電源（VCC）（2.7 V至3.6 V）?多功能I/O功能-寬I/O電壓范圍（VIO）：1.65V至VCC?×16數(shù)據(jù)總線?異步32字節(jié)頁面讀取?512字節(jié)編程緩沖區(qū)-以頁面倍數(shù)編程，最大可達(dá)512字節(jié)?同一單詞選項(xiàng)上的單個(gè)單詞和多個(gè)程序?自動(dòng)錯(cuò)誤檢查和糾正（ECC）-內(nèi)部硬件ECC，帶單比特錯(cuò)誤糾正?扇區(qū)擦除-統(tǒng)一128千字節(jié)扇區(qū)?暫停和恢復(fù)編程和擦除操作的命令?用于確定設(shè)備狀態(tài)的狀態(tài)寄存器、數(shù)據(jù)輪詢和就緒/繁忙引腳方法?高級(jí)扇區(qū)保護(hù)（ASP）-每個(gè)扇區(qū)的易失性和非易失性保護(hù)方法?具有兩個(gè)可鎖定區(qū)域的獨(dú)立1024字節(jié)一次性程序（OTP）陣列?通用閃存接口（CFI）參數(shù)表?溫度范圍/等級(jí)-工業(yè)（-40°C至+85°C）-工業(yè)+（-40°C至+105°C）-汽車，AEC-Q100 3級(jí)（-40°C至+85°C）-汽車，AEC-Q100 2級(jí)（-40°C至+105°C）?100000次編程/擦除周期?20年的數(shù)據(jù)保留期飛索半導(dǎo)體S29GL256S90DHI020廣泛應(yīng)用于嵌入式系統(tǒng)、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、通信設(shè)備、工業(yè)控制等領(lǐng)域，主要用于存儲(chǔ)程序代碼、數(shù)據(jù)、配置信息等。其高速讀寫、低功耗、可靠性高等特點(diǎn)，使其成為嵌入式系統(tǒng)中常用的存儲(chǔ)器之一。方框圖封裝引腳
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